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公开(公告)号：CN1725451A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510084875.5
申请日：2005-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01J37/3266 , H01L21/6831
Abstract: 半导体蚀刻装置包括静电卡盘，边缘环以及间隔物。静电卡盘包括环安装部分。边缘环具有外面部分和内部部分。外面部分具有大于环安装部分的高度的厚度，放置内部部分以接近环安装部分的竖直面。内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的上下表面相同高度分别向上和向下分级。间隔物具有环形，并配置在环安装部分的水平面上，支撑边缘环构件的内部部分，并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。
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公开(公告)号：CN1638131A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410097394.3
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 根据某些实施例，一种电容器包括存储导电图形，具有包围存储导电图形以便补偿存储电极的刻蚀损失的补偿部件的存储电极，布置在存储电极上的介质层以及布置在介质层上的板电极。因为补偿部件补偿几个刻蚀工序过程中存储电极的刻蚀损失，因此可以防止存储电极的结构稳定性退化。此外，因为在存储电极的上部上形成补偿部件，所以存储电极可以具有足够的厚度，以因此增强包括存储电极的电容器的电性能。
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公开(公告)号：CN101063829B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710101054.7
申请日：2007-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: 一种重叠测量设备包括，产生具有多个波长的可见光的光源；光学模块；从由该光源产生的可见光选择具有单个波长的可见光，使该具有单个波长的可见光入射在该多个重叠图形上，以及使用从该多个重叠图形反射的可见光，以用预定的颜色投影该重叠图形；成像单元，根据该可见光的各个波长，获取该多个重叠图形的图像，和获取相应图像信号；以及控制单元，输出控制信号到光学模块，以便该光学模块可以使用与可见光的各个波长相关的信息，用特定的颜色投影该重叠图形，该可见光用来投影由选择单元选择的重叠图形。
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公开(公告)号：CN101063829A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101054.7
申请日：2007-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: 一种重叠测量设备包括，产生具有多个波长的可见光的光源；光学模块；从由该光源产生的可见光选择具有单个波长的可见光，使该具有单个波长的可见光入射在该多个重叠图形上，以及使用从该多个重叠图形反射的可见光，以用预定的颜色投影该重叠图形；成像单元，根据该可见光的各个波长，获取该多个重叠图形的图像，和获取相应图像信号；以及控制单元，输出控制信号到光学模块，以便该光学模块可以使用与可见光的各个波长相关的信息，用特定的颜色投影该重叠图形，该可见光用来投影由选择单元选择的重叠图形。
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公开(公告)号：CN101281911A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810090815.8
申请日：2008-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/66825
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。半导体装置包括从基底突出的隔离层、分隔件、隧道绝缘层、浮置栅极、介电层图案和控制栅极。分隔件可以形成在隔离层的突出部分的侧壁上。隧道绝缘层可以在基底上形成在相邻的隔离层之间。浮置栅极可以形成在隧道绝缘层上。浮置栅极接触分隔件，并具有从下部向上部逐渐增加的宽度。介电层图案和控制栅极可以顺序形成在浮置栅极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577888A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410049388.0
申请日：2004-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/66787
Abstract: 一种垂直双沟道绝缘硅场效应晶体管，包括：与衬底上的一对平行浅沟槽隔离层接触的双垂直半导体层对；源区、漏区和沟道区，在一对垂直半导体层上每一层上，相对应的区域在一对垂直半导体层上以对准方式彼此面对，在一对垂直半导体层两者的沟道区上的栅极氧化层，以及栅电极、源电极和漏电极，与一对垂直半导体层的相应区域电连接。
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公开(公告)号：CN1766734A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510113645.7
申请日：2005-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/016
Abstract: 在供制造半导体器件中使用的光刻胶分配设备中，通过使用分配泵强制地从瓶子发出光刻胶以及使它通过供应管线和过滤器，获得过滤操作，以及通过喷嘴将过滤的光刻胶喷射到晶片上；气泡去除单元装备有供应管线，在分配泵之前。在光刻胶的流动中产生的大气泡和微气泡以及外来物质基本上被过滤掉，以便供应优质的光刻胶。外来物质去除过滤器中加载的漂浮物基本上被除去，因此通过使用分配泵在一直均匀和稳定的压力之下喷射光刻胶，以用均匀厚度的光刻胶覆盖晶片，以及获得精确的图形形成。
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公开(公告)号：CN1534788A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310114163.4
申请日：2003-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/76897 , H01L27/0207 , H01L27/10829 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L29/66621 , H01L29/7834 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的存储单元及其形成方法，该存储单元包括：带有有源区和场区的衬底；形成于衬底上的栅层，栅层包括多个形成于衬底中的有源区上的存取栅和多个形成于衬底中的场区上的通路栅；形成在相邻通路栅和存取栅之间的第一自对准接触区；以及形成在相邻存取栅之间的第二自对准接触区，其中每个第一自对准接触区的宽度大于每个第二自对准接触区的宽度。
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公开(公告)号：CN1417644A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02140172.1
申请日：2002-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/701 , G03F7/70108 , G03F7/70183
Abstract: 公开了一种曝光物体的方法和设备，用于提高光效率。产生具有均匀强度分布的光之后，光被折射成多个发散光束。然后，多个发散光束再次被折射成多个平行光束。利用多个平行光束的光曝光物体。因此，使原始光束和用于曝光物体的平行光束之间的光通量的差最小化，因而提高了该设备的光效率。
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公开(公告)号：CN1638131B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200410097394.3
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 根据某些实施例，一种电容器包括存储导电图形，具有包围存储导电图形以便补偿存储电极的刻蚀损失的补偿部件的存储电极，布置在存储电极上的介质层以及布置在介质层上的板电极。因为补偿部件补偿几个刻蚀工序过程中存储电极的刻蚀损失，因此可以防止存储电极的结构稳定性退化。此外，因为在存储电极的上部上形成补偿部件，所以存储电极可以具有足够的厚度，以因此增强包括存储电极的电容器的电性能。
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