公开(公告)号：CN101281911A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810090815.8

申请日：2008-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍俊 ,  郭僖珍 ,  阵范俊

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66825

Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。半导体装置包括从基底突出的隔离层、分隔件、隧道绝缘层、浮置栅极、介电层图案和控制栅极。分隔件可以形成在隔离层的突出部分的侧壁上。隧道绝缘层可以在基底上形成在相邻的隔离层之间。浮置栅极可以形成在隧道绝缘层上。浮置栅极接触分隔件，并具有从下部向上部逐渐增加的宽度。介电层图案和控制栅极可以顺序形成在浮置栅极上。