公开(公告)号：CN101286469A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810109244.8

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴义珍 ,  崔允浩 ,  朴仁荣 ,  郑桓一 ,  崔成锡

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/68735

Abstract: 具有用于防止空隙形成的结构的等离子体处理设备，包括：内部形成等离子体环境的腔体；位于腔体上部位置的上电极；位于腔体下部位置的静电卡盘，其具有下电极并在其顶表面上承载晶片；位于静电卡盘外侧的环；以及将静电卡盘与环之间的间隔与外界隔开的空隙防止单元。

公开(公告)号：CN1725451A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510084875.5

申请日：2005-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成锡 ,  朴珍俊

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/6831

Abstract: 半导体蚀刻装置包括静电卡盘，边缘环以及间隔物。静电卡盘包括环安装部分。边缘环具有外面部分和内部部分。外面部分具有大于环安装部分的高度的厚度，放置内部部分以接近环安装部分的竖直面。内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的上下表面相同高度分别向上和向下分级。间隔物具有环形，并配置在环安装部分的水平面上，支撑边缘环构件的内部部分，并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。