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公开(公告)号：CN115497941A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210485599.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN115020417A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210194758.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11573
Abstract: 提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一衬底、位于所述第一衬底上的电路器件、位于所述电路器件上的下互连结构和电连接到所述下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构上，并且包括第二衬底、在与所述第二衬底的下表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸的沟道结构以及电连接到所述栅电极和所述沟道结构并接合到所述下接合结构的上接合结构。所述第二半导体结构还包括连接到所述第二衬底的上部的第一通路、与所述第一通路和所述第二衬底间隔开的第二通路以及接触插塞。
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公开(公告)号：CN102566897B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110350731.5
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488 , G06F3/041
Abstract: 公开了一种移动终端和基于移动终端的输入信号的屏幕改变控制方法。所述移动终端包括：显示面板，用于输出分配给用户功能的屏幕；控制单元，用于基于在显示面板上的当前屏幕与分配给用户功能的全屏的比例和通过缩放进行放大或缩小的比率中的至少一个来收集屏幕比率信息，并用于根据屏幕比率信息自动调整针对输入信号的屏幕改变量。
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公开(公告)号：CN115643755A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210812817.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
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公开(公告)号：CN119057672A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410020291.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了化学机械抛光(CMP)设备的抛光头和分段式头模块。所述CMP设备的抛光头可以包括头部块、分配块和分段式头模块。头部块可以被构造为定位在基底上方。分配块可以相对于竖直方向可旋转地连接到头部块的下表面。多个压力管线可以连接到分配块并且被构造为使工作流体通过其流过。分段式头模块可以连接到分配块的下表面。分段式头模块可以被构造为与分配块一起相对于竖直方向旋转。分段式头模块可以被构造为使用通过压力管线提供的工作流体对基底进行局部加压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116096094A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211357542.5
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：第一衬底；电路装置，其设置在第一衬底上；下互连结构，其电连接到电路装置；下接合结构，其连接到下互连结构；上接合结构，其接合到下接合结构；上互连结构，其连接到上接合结构；第二衬底，其设置在上互连结构上；导电板，其设置在第二衬底下方；栅电极，其设置在上互连结构与导电板之间，并且在竖直方向上堆叠；沟道结构，其穿透栅电极；多个导电图案，其分别设置在穿透第二衬底的多个开口中；以及外围接触插塞，其在从导电板起的外部区域中在竖直方向上延伸，并且连接到多个导电图案中的一个。
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公开(公告)号：CN115679287A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210841861.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中，并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方，并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方，使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔，并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。
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公开(公告)号：CN111341779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910863817.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储装置包括：衬底，其包括单元阵列区和连接区；堆叠结构，其包括依次堆叠在衬底上的下堆叠结构和上堆叠结构，其中，堆叠结构包括交替且垂直地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；垂直结构，其位于穿透单元阵列区上的下堆叠结构和上堆叠结构的沟道孔中；以及伪结构，其位于穿透连接区上的下堆叠结构和上堆叠结构中的至少一个的伪孔中。连接区包括位于单元阵列区的一侧的第二连接区和位于第二连接区的一侧的第一连接区。第二连接区中的伪孔的表面图案形状与第一连接区中的伪孔的形状不同。
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公开(公告)号：CN120019292A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380070781.9
申请日：2023-10-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S5/02 , G06N3/092 , G06N3/0985 , H04W64/00
Abstract: 本公开提供了一种方法，通过该方法，电子设备确定超宽带(UWB)信号的位置。本公开的方法可以包括以下步骤：基于多个接收到的UWB信号的视线(LOS)概率，从多个接收到的UWB信号中识别预定数量的UWB信号；通过使用所识别的UWB信号获得电子设备的位置；确定所获得的位置是否在由发送所识别的UWB信号的UWB锚配置的簇的区域内；以及如果所获得的位置在簇的区域内，则将所获得的位置确定为电子设备的最终位置。这里，多个接收到的UWB信号中的每一个可以包括用于下行链路到达时间差(DL‑TDoA)定位的UWB消息。
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公开(公告)号：CN119999283A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380072034.9
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开，一种由无线通信系统中的第一电子设备执行的方法可以包括以下步骤：识别调度信息；基于调度信息，在第一时段期间发送服务发现帧；识别至少一个第二电子设备；基于调度信息，在第一时段之后的第二时段期间向至少一个第二电子设备发送同步信标；以及基于调度信息，与至少一个第二电子设备执行通信。
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