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公开(公告)号：CN110838495B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201910717479.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
Abstract: 一种三维半导体器件包括：堆叠结构，位于下部结构上；竖直沟道结构，穿过所述堆叠结构；以及第一竖直支撑结构，穿过所述堆叠结构并与所述竖直沟道结构间隔开。所述堆叠结构包括在垂直于所述下部结构的上表面的竖直方向上交替堆叠的层间绝缘层和栅极水平图案。所述竖直沟道结构和所述第一竖直支撑结构具有不同的截面形状。所述竖直沟道结构还包括沟道半导体层。所述竖直沟道结构包括第一竖直区域、第二竖直区域以及位于所述第一竖直区域与所述第二竖直区域之间的宽度变化部分。所述层间绝缘层包括与所述宽度变化部分相邻的中间层间绝缘层。所述中间层间绝缘层与在所述竖直方向上与其相邻的层间绝缘层具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN114597213A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111460944.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体装置和数据存储系统。所述半导体装置包括：第一栅电极和第二栅电极，其在衬底的第一区上在第一方向上堆叠并且彼此间隔开，并且在衬底的第二区上在第二方向上按照台阶形式延伸，第二栅电极设置在第一栅电极上；第一支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最下面的第二栅电极的水平面更低的水平面处；第二支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极和第二栅电极中的至少一个，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最上面的第二栅电极的水平面更高的水平面处。
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公开(公告)号：CN113764425A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110356466.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供了垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：第一栅电极结构，位于第一基底上，第一栅电极结构包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第一栅电极；第二栅电极结构，位于第一栅电极结构上，并且包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第二栅电极；沟道，延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构；以及接触插塞，沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构，其中，位于第二栅电极的端部处的第二台阶与位于第一栅电极的端部处的第一台阶叠置，其中，接触插塞延伸穿过至少一个第一台阶并穿过至少一个第二台阶，同时仅电连接到第一台阶或仅电连接到第二台阶。
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公开(公告)号：CN112420734A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011416326.4
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11556 , H01L27/11524
Abstract: 公开了半导体装置和非易失性存储装置。垂直NAND型存储装置包括在下面的基底上按交替的顺序布置的栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠，所述基底包括在其中的单元阵列区和接触区。提供了至少一个NAND型沟道结构，所述NAND型沟道结构穿过栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠垂直地延伸。栅电极中的在接触区的至少一部分上横向地延伸的一个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率不如在所述一个第一栅电极与基底之间延伸的多个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率陡峭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242397A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010671139.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件。所述半导体器件包括下部结构和在下部结构上延伸到连接区域中的堆叠结构，其中，堆叠结构包括栅极焊盘和模制焊盘。模制焊盘包括中间模制焊盘，中间模制焊盘包括第一中间模制焊盘和位于成对的第一中间模制焊盘之间的第二中间模制焊盘，每个第一中间模制焊盘具有在第一方向上的第一长度，第二中间模制焊盘具有在第一方向上的大于第一长度的第二长度，一个中间模制焊盘包括模制焊盘部分和位于模制焊盘部分上的绝缘突起部分，一个第一中间模制焊盘包括模制焊盘部分和绝缘突起部分，并且第二中间模制焊盘的中心区域不包括绝缘突起部分。
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公开(公告)号：CN112117279A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010227760.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构，并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。
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公开(公告)号：CN111725220A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010194056.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种垂直存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和延伸区域；栅电极，以多个层级一个堆叠在另一个上，其中栅电极中的每个包括垫，以及其中设置在栅电极上的垫在衬底的延伸区域上形成至少一个阶梯结构；沟道，在衬底的单元阵列区域上沿第一方向延伸穿过栅电极中的至少一个；以及虚设栅电极组，设置在衬底的延伸区域上，其中虚设栅电极组包括虚设栅电极，其中虚设栅电极中的每个与栅电极当中的堆叠在相同层级处的对应栅电极间隔开，其中虚设栅电极组在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN111341779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910863817.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储装置包括：衬底，其包括单元阵列区和连接区；堆叠结构，其包括依次堆叠在衬底上的下堆叠结构和上堆叠结构，其中，堆叠结构包括交替且垂直地堆叠在衬底上的绝缘层和电极；垂直结构，其位于穿透单元阵列区上的下堆叠结构和上堆叠结构的沟道孔中；以及伪结构，其位于穿透连接区上的下堆叠结构和上堆叠结构中的至少一个的伪孔中。连接区包括位于单元阵列区的一侧的第二连接区和位于第二连接区的一侧的第一连接区。第二连接区中的伪孔的表面图案形状与第一连接区中的伪孔的形状不同。
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公开(公告)号：CN110838495A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910717479.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体器件包括：堆叠结构，位于下部结构上；竖直沟道结构，穿过所述堆叠结构；以及第一竖直支撑结构，穿过所述堆叠结构并与所述竖直沟道结构间隔开。所述堆叠结构包括在垂直于所述下部结构的上表面的竖直方向上交替堆叠的层间绝缘层和栅极水平图案。所述竖直沟道结构和所述第一竖直支撑结构具有不同的截面形状。所述竖直沟道结构还包括沟道半导体层。所述竖直沟道结构包括第一竖直区域、第二竖直区域以及位于所述第一竖直区域与所述第二竖直区域之间的宽度变化部分。所述层间绝缘层包括与所述宽度变化部分相邻的中间层间绝缘层。所述中间层间绝缘层与在所述竖直方向上与其相邻的层间绝缘层具有相同的厚度。
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