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公开(公告)号:CN115679287A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202210841861.7
申请日:2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中,并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方,并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方,使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔,并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。