公开(公告)号：CN111211080B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN108242382B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

公开(公告)号：CN104460057A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410361615.7

申请日：2014-07-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  三星电子株式会社 ,  全北大学校产学协力团

Inventor： 催硕 ,  具成谋 ,  卢泳辰 ,  金榕元 ,  柳彰贤 ,  郑治连 ,  李升熙 ,  崔永恩

IPC: G02F1/13

Abstract: 本发明提供了一种用于检测基板的缺陷的检查设备和液晶调制器。该检查设备包括液晶调制器、发光单元、分束器和测量单元。液晶调制器包括反射层、液晶层、电极和偏振器。反射层反射光。感应层包括混合排列向列相液晶。电极设置在液晶层上。偏振器设置在电极上。

公开(公告)号：CN116564782A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202211386948.6

申请日：2022-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  金道源 ,  任志洙 ,  卢泳辰 ,  朴哲佑 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455

Abstract: 公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59％。

公开(公告)号：CN110690096A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN110690096B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN108242382A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

公开(公告)号：CN104678611A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410462901.2

申请日：2014-09-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 具成谋 ,  催硕 ,  卢泳辰 ,  金榕元 ,  柳彰贤 ,  郑治连

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1334

CPC classification number: G02F1/1313 ,  G02F1/1309 ,  G02F1/1334 ,  G02F1/133553 ,  G02F2001/133368 ,  G02F2001/13345

Abstract: 本发明公开了一种基板检查设备及一种基板检查设备的液晶调制器的制造方法。该基板检查设备包括：液晶调制器，被构造为设置在所述基板上；光源单元，设置为与液晶调制器分隔开；分束器，设置在液晶调制器与光源单元之间，并且被构造为将来自光源单元的光束反射至液晶调制器；测量单元，被构造为感测由基板反射的光束。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN117219485A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310681301.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奂 ,  成德镛 ,  金南均 ,  金珉成 ,  卢泳辰

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理设备包括：工艺室，在其中执行基板处理工艺；静电卡盘，其具有微腔；下电极，其被设置为与静电卡盘的下表面接触；高频电源，其将高频电力施加到下电极；导电支撑件，其被设置为与下电极的下部间隔开并且接地；以及放电抑制器，其位于下电极和导电支撑件之间，具有形成气体供应线的一部分的气体供应流动路径，并且通过三维打印来成型，其中，气体供应流动路径具有在高频电力所形成的电场的方向上具有5mm或更小的长度并且连接放电抑制器的上表面和下表面的空间部分。