公开(公告)号：CN106057899B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。

公开(公告)号：CN106057899A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。

公开(公告)号：CN106571304B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201610210080.2

申请日：2016-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·吉尔 ,  咖尼时·海德 ,  沃克·森古皮塔 ,  伯纳·J·欧博阿多威 ,  马克·S·荣德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。

公开(公告)号：CN106571304A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610210080.2

申请日：2016-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·吉尔 ,  咖尼时·海德 ,  沃克·森古皮塔 ,  伯纳·J·欧博阿多威 ,  马克·S·荣德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/485 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76838

Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。