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公开(公告)号：CN106409907A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610591020.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/66477
Abstract: 公开了用于半导体装置的堆叠件和用于形成所述堆叠件的方法。所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触。堆叠件形成在下层上，牺牲层与下层接触。下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
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公开(公告)号：CN106409907B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610591020.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L21/336
Abstract: 公开了用于半导体装置的堆叠件和用于形成所述堆叠件的方法。所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触。堆叠件形成在下层上，牺牲层与下层接触。下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
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公开(公告)号：CN106571304B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610210080.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 乔治·A·吉尔 , 咖尼时·海德 , 沃克·森古皮塔 , 伯纳·J·欧博阿多威 , 马克·S·荣德
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
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公开(公告)号：CN106571304A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610210080.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 乔治·A·吉尔 , 咖尼时·海德 , 沃克·森古皮塔 , 伯纳·J·欧博阿多威 , 马克·S·荣德
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L23/485 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/76838
Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
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