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公开(公告)号：CN1873534B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2-醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1873534A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2－醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1251030C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200310115315.2
申请日：2003-11-19
Applicant: 东进半导体化学株式会社
Abstract: 本发明公开一种在薄膜晶体管型液晶显示装置(TFT-LCD)或半导体制备中用于形成光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂显影剂组合物。该光致抗蚀剂显影剂组合物在总显影剂组合物中包括按重量计为1.0～10.0%的无机碱性化合物、按重量计为0.1～3.0%的有机溶剂、按重量计为1.0～20.0%的表面活性剂、按重量计为67～97.9%的水。优选的表面活性剂是阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的混合物，并且阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的比例按重量计为1∶10～1∶100。该显影剂组合物可用水稀释使得在最终显影剂组合物中该显影剂组合物按重量计为0.5～5.0%。该光致抗蚀剂显影剂组合物可防止曝光抗蚀剂区表面的侵蚀，并对非曝光抗蚀剂区具有较好的显影能力，及可最小化显影步骤后残渣的出现。
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公开(公告)号：CN1213342C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F3/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号：CN1439120A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811689.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G01N21/359 , G01N21/3563 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束，则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反，如果该剥离剂的寿命还没有结束，则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101236356B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10-70重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、0.5-10重量份的光-酸产生剂、包括至少一种式2单元的5-50重量份的溶解抑制剂和10-90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、光-酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以下结构：[式1]其中R为甲基，[式2]其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN100474125C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN01811689.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G01N21/359 , G01N21/3563 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束，则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反，如果该剥离剂的寿命还没有结束，则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。
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公开(公告)号：CN1503064A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310115315.2
申请日：2003-11-19
Applicant: 东进半导体化学株式会社
Abstract: 本发明公开一种在薄膜晶体管型液晶显示装置(TFT－LCD)或半导体制备中用于形成光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂显影剂组合物。该光致抗蚀剂显影剂组合物在总显影剂组合物中包括按重量计为1.0～10.0％的无机碱性化合物、按重量计为0.1～3.0％的有机溶剂、按重量计为1.0～20.0％的表面活性剂、按重量计为67～97.9％的水。优选的表面活性剂是阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的混合物，并且阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂的比例按重量计为1∶10～1∶100。该显影剂组合物可用水稀释使得在最终显影剂组合物中该显影剂组合物按重量计为0.5～5.0％。该光致抗蚀剂显影剂组合物可防止曝光抗蚀剂区表面的侵蚀，并对非曝光抗蚀剂区具有较好的显影能力，及可最小化显影步骤后残渣的出现。
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公开(公告)号：CN1439118A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号：CN101236356A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10－70重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、0.5－10重量份的光－酸产生剂、包括至少一种式2单元的5－50重量份的溶解抑制剂和10－90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、光－酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以上结构，其中R为甲基，其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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