用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法

    公开(公告)号:CN113169099B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN201980081072.4

    申请日:2019-11-25

    Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及通过提供在整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。用于控制整个基板上的温度的方法可包括个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元。多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布,基板设置在介电主体的支承表面上。温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分。此外,可通过个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED来控制温度。将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片。至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布。

    成角度的光栅的旋转K矢量的调制
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113167948A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980081505.6

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本文中所述的实施方式涉及方法及装置,这些方法及装置用于使用成角度蚀刻系统及/或光学设备来在基板上形成具有带有不同斜角的多个鳍片的光栅及在相继的基板上形成带有不同斜角的鳍片。这些方法包括以下步骤:将固位在工作台上的基板的部分定位在离子束的路径中。这些基板具有设置在这些基板上的光栅材料。该离子束被配置为相对于这些基板的表面法线用离子束角Q接触该光栅材料及在该光栅材料中形成光栅。

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