具有突出的集成电路芯片的侧入射图像传感器

    公开(公告)号:CN119563125A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202280098201.2

    申请日:2022-08-30

    Inventor: 曹培炎 刘雨润

    Abstract: 一种具有图像传感器的系统,该图像传感器包括:M个金属层(i)和M个辐射检测器(i),i=1、……、M。M为大于1的整数。辐射检测器(i)包括辐射吸收层(i)和集成电路芯片(i,j),j=1、……、Ni。Ni,i=1、……、M为正整数。多个金属层和多个辐射吸收层一起形成层堆叠。辐射检测器中的一个辐射检测器的所有传感元件存在最佳拟合平面。集成电路芯片(i,j),j=1、……、Ni中的每个集成电路芯片在垂直于最佳拟合平面的方向上与辐射吸收层(i)至少部分地重叠。存在垂直于最佳拟合平面的第一平面,该第一平面与所有的集成电路芯片相交,并且,不与多个辐射吸收层中的任何辐射吸收层相交。

    一种可调光阑、光阑转换系统和电子显微镜

    公开(公告)号:CN113345783B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202110614682.5

    申请日:2021-06-02

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及显微成像技术领域,更具体地说,涉及一种可调光阑、光阑转换系统和电子显微镜。包括:成像单元,控制单元,驱动单元,伺服电机和可调光阑。可调光阑包括两个旋转芯,所述旋转芯之间彼此镜像对应,旋转芯上设置有旋转轴。本方案通过在电子显微镜中增加光阑自动转换装置,同时改变传统光阑的结构与传动方式,从而可使光阑转换与成像同步,可自动化获得一系列在不同光阑作用下所得的图像。同时,本发明公开的齿轮结构还可以完全抵挡住两个旋转芯之间狭缝位置的电子,使得电子探针不发散,获得更好地处理结果。

    一种电子显微镜断层成像方法及系统

    公开(公告)号:CN106783496B

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201611207099.8

    申请日:2016-12-23

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 毛珩 温爽 姜明

    Abstract: 本发明公开了一种电子显微镜断层成像方法及系统,所述方法包括:步骤1,系统复位;步骤2,采集投影及其参数;步骤3,根据步骤23采集到的投影及其参数,重建出待测样品的层析图像。本发明能够在成像范围内对投影参数进行选取,即精确控制待测样品处于不同的角度组合(alphai,phij),并在选取的投影参数状态下自动采集待测样品的投影,因此可以同时实现对待测样品的单倾斜和锥倾斜成像的全自动数据采集过程,为快速获取待测样品的层析图像提供了有利条件。

    基于激光等离子体驱动的超快电子衍射装置

    公开(公告)号:CN106847662A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710027709.4

    申请日:2017-01-16

    CPC classification number: H01J37/295 H01J37/06 H01J2237/063

    Abstract: 一种超快电子衍射装置,包括:飞秒激光光源、靶室、样品控制器、电子束成像系统和真空泵。利用激光与固体靶相互作用中产生的电子束作为超快电子衍射的电子源以及电子束的优化是本发明的核心。本发明利用激光等离子体相互作用产生的电子束,电子不需要经历阴极‑阳极的加速以及偏转过程,减小了电子到达样品的传输距离以及由于长距离传输导致的空间电荷效应的影响,提高了该装置的时间分辨能力。另一方面,电子束的优化系统能够筛选出单能性好,能散低的电子,进一步提高了该装置的空间分辨能力。本发明具有结构紧凑,时间空间分辨率高的优点。

    一种太赫兹驱动电子脉冲加速的飞秒电子衍射装置

    公开(公告)号:CN106384704A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201610930472.6

    申请日:2016-10-31

    CPC classification number: H01J37/295 H01J37/06

    Abstract: 本发明涉及一种太赫兹驱动电子脉冲加速的飞秒电子衍射装置。该装置包括飞秒激光器、分束镜、紫外激光脉冲发生装置、太赫兹脉冲发生装置、电子枪、电子聚焦装置、样品室、成像装置以及相机;飞秒激光器出射的飞秒激光通过分束镜后一束飞秒激光进入紫外激光脉冲发生装置,另一束飞秒激光通过反射镜进入太赫兹脉冲发生装置;电子枪接收紫外激光脉冲以及太赫兹脉冲进入电子枪腔室产生电子脉冲;电子聚焦装置安装在电子枪腔室和样品室之间;样品室内沿着电子脉冲出射的方向依次放置样品组件和成像装置;样品室的外部正对成像装置的位置放置相机。该装置可运行在反射或者透射模式,可进行可逆和不可逆过程的研究且兼具高亮度和高时空分辨。

    电子射线干涉装置和电子射线干涉法

    公开(公告)号:CN103348440B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201280002178.9

    申请日:2012-02-03

    Abstract: 电子射线可干涉的范围、距离有限制,只能在该可干涉距离的范围内实现电子射线干涉。因此,在本发明的电子射线干涉装置中,着眼于通过干涉显微镜法再现、观察的相位分布是用于干涉的2个波格子的相位分布的差分,根据参照波和与参照波相邻的观察区域的干涉像,对每个干涉区域宽度连续地记录干涉像,求出分别对这些干涉像进行再现而得到的相位分布的积算,来得到规定的观察区域和规定的参照波的相位分布的差分像。对各个相位分布实施该操作,按照规定的顺序将所得到的相位分布像排列起来,由此能够得到超过可干涉距离的广范围的干涉像。

    电子射线干涉装置和电子射线干涉法

    公开(公告)号:CN103348440A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201280002178.9

    申请日:2012-02-03

    Abstract: 电子射线可干涉的范围、距离有限制,只能在该可干涉距离的范围内实现电子射线干涉。因此,在本发明的电子射线干涉装置中,着眼于通过干涉显微镜法再现、观察的相位分布是用于干涉的2个波格子的相位分布的差分,根据参照波和与参照波相邻的观察区域的干涉像,对每个干涉区域宽度连续地记录干涉像,求出分别对这些干涉像进行再现而得到的相位分布的积算,来得到规定的观察区域和规定的参照波的相位分布的差分像。对各个相位分布实施该操作,按照规定的顺序将所得到的相位分布像排列起来,由此能够得到超过可干涉距离的广范围的干涉像。

    带电粒子束设备和样本输送设备

    公开(公告)号:CN103311081A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310082287.2

    申请日:2013-03-15

    Inventor: 荷田昌克

    CPC classification number: H01J37/20 H01J2237/204 H01J2237/31713

    Abstract: 本发明涉及带电粒子束设备和样本输送设备。一种带电粒子束设备包括:样本室;样本架;电子束照射系统,所述电子束照射系统用于利用电子束照射所述样本;聚焦离子束照射系统,所述聚焦离子束照射系统用于利用聚焦离子束照射所述样本;样本架驱动单元,所述样本架驱动单元的旋转轴线与所述电子束照射系统的照射轴线和所述聚焦离子束照射系统的照射轴线中的至少一者正交;以及样本输送机构,所述样本输送机构用于将所述样本输送到所述样本架。所述样本输送机构包括沿与所述样本架驱动单元的所述旋转轴线平行的方向设置在所述样本架驱动单元中的输送路径,并且构造成将所述样本通过所述输送路径输送到所述样本架。

    一种透射型低能量电子显微系统

    公开(公告)号:CN107481914B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201610404782.4

    申请日:2016-06-08

    Abstract: 本发明涉及一种透射型低能量电子显微系统,其包括:一真空腔体;一电子枪,用于发射的电子束;一衍射腔体;一成像装置;一样品支架,用于固定二维纳米材料样品,上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束,并在所述成像装置上成像;一芯柱;一抽真空装置;以及一控制电脑;其中,所述控制电脑还包括工作模式切换模块,所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换;所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面,并进行衍射成像;所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面,并进行衍射成像。

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