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公开(公告)号：CN111650429B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202010495276.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法，温度补偿电流传感器包括：聚磁环、绕制于聚磁环上的反馈线圈、设置于聚磁环缺口处的磁传感芯片、与磁传感芯片及反馈线圈相连的磁平衡电路；磁传感芯片包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件及热敏电阻，热敏电阻位于隧道结磁电阻元件的电极层上，电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，热敏电阻为钌电阻，热敏电阻与温度补偿电路相连，反馈线圈向温度补偿电路输出电流信号，温度补偿电路用于根据钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。本发明将热敏元件集成在磁传感芯片内部，温度采集区域与磁场检测的区域更加靠近，反馈的温度信息更加准确，而且不会额外增加其它材料和工艺难度。
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公开(公告)号：CN113093070B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110479973.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；至少一个负电容电路，负电容电路与某一桥臂上的TMR单元并联，负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与一个输出端子相连，负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反。本发明在TMR磁场传感器中设置和TMR单元并联的负电容电路，通过负电容电路补偿推挽全桥电路的寄生电容，进而补偿推挽全桥电路的寄生电容，实现TMR磁场传感器的测量频率范围的拓展。
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公开(公告)号：CN115436778B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210974524.5
申请日：2022-08-15
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种芯片测试装置、测试系统及测试方法，芯片测试装置包括：电磁铁模组，包括多个倾斜磁极以及直接或间接绕设于所述倾斜磁极上的线圈，用于通过所述倾斜磁极对位于芯片测试位置的待测芯片施加磁场；磁探头，用于获取所述芯片测试位置的磁场信息；电探针，用于与所述待测芯片电连接，获取所述待测芯片的电性能反馈信息。本发明可以消除电磁铁磁滞的影响，克服因磁滞的存在导致计算难度大的问题，能够准确还原出芯片测试位置的磁场，从而可以准确地找出不合格产品，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115236391A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210761512.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种磁传感芯片及闭环反馈电流传感器，磁传感芯片包括磁传感单元、热敏电阻及反馈线圈，磁传感单元包括磁电阻元件，热敏电阻设置于磁电阻元件的电极层。闭环反馈电流传感器包括磁传感芯片及信号处理电路；信号处理电路包括磁平衡电路、电流采样电路和温度补偿电路；磁平衡电路根据磁传感单元输出的信号向反馈线圈提供电流，使反馈线圈产生反馈磁场；电流采样电路与反馈线圈相连，采集反馈线圈的电流信号并输出；温度补偿电路与热敏电阻及电流采样电路相连，根据热敏电阻和电流采样电路输出的信号对检测结果补偿后输出。热敏电阻集成在磁传感芯片内部能更精确地反应检测区域的温度信息，从而对电流传感器做出更精确的温漂补偿。
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公开(公告)号：CN111650428A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010495259.3
申请日：2020-06-03
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法，该闭环反馈电流传感器包括：外壳；设置于外壳内的磁传感芯片和信号处理电路，磁传感芯片包括由磁电阻元件组成的磁传感单元、设置于磁传感单元上方的反馈线圈，反馈线圈为由导电材料刻蚀而成的平面螺旋线结构，螺旋线平面和磁传感单元的敏感方向相垂直；信号处理电路包括磁平衡电路和电流采样电路，磁传感芯片通过输入端子与电源相连，通过输出端子与磁平衡电路相连；磁平衡电路与反馈线圈相连，向反馈线圈提供电流，使反馈线圈产生反馈磁场；电流采样电路与反馈线圈相连，采集反馈线圈的电流信号并输出。本发明将磁电阻元件和反馈线圈集成于磁传感芯片内，减小了闭环反馈电流传感器的体积和重量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114895093A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210394685.7
申请日：2022-04-14
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种拓扑识别接收模块，包括：聚磁环、磁传感芯片及信号处理电路；磁传感芯片包括测量电容和参考电容，测量电容由多个测量磁电容元件并联而成，测量磁电容元件包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层及上电极层，测量磁电容元件的钉扎层的磁化方向不变，测量磁电容元件的自由层的磁化方向随外磁场变化；参考电容由多个参考磁电容元件并联而成，参考磁电容元件包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层、上电极层、第二绝缘层及磁屏蔽层，参考磁电容元件的自由层及钉扎层的磁化方向不变；信号处理电路包括电容检测电路和微控制处理器。本发明拓扑识别接收模块使用TMC磁传感芯片，相同条件下TMC效应大于TMR效应，实现了更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112557972A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011454257.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: TMR磁场传感器，包括：基片以及设置于所述基片上的一个或多个TMR磁传感器芯片，所述TMR磁传感器芯片相对于所述基片表面倾斜设置，所述TMR磁传感器芯片的易轴方向与待测的外磁场方向存在夹角。本发明的感测的是外磁场的分量，具有更大的动态测量范围，而且通过使外磁场分量集中在TMR磁传感器芯片的易轴和Z轴上，TMR磁传感器芯片主要感测易轴上的分量来进行测量，相比于把外磁场分量集中在易轴和难轴的TMR磁场传感器具有更好的线性度。
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公开(公告)号：CN111650429A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010495276.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法，温度补偿电流传感器包括：聚磁环、绕制于聚磁环上的反馈线圈、设置于聚磁环缺口处的磁传感芯片、与磁传感芯片及反馈线圈相连的磁平衡电路；磁传感芯片包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件及热敏电阻，热敏电阻位于隧道结磁电阻元件的电极层上，电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，热敏电阻为钌电阻，热敏电阻与温度补偿电路相连，反馈线圈向温度补偿电路输出电流信号，温度补偿电路用于根据钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。本发明将热敏元件集成在磁传感芯片内部，温度采集区域与磁场检测的区域更加靠近，反馈的温度信息更加准确，而且不会额外增加其它材料和工艺难度。
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公开(公告)号：CN111044953B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202010010607.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本发明在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本发明的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。
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公开(公告)号：CN111044953A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010010607.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本发明在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本发明的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。
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