-
公开(公告)号：CN119224661A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310780120.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种TMR全桥磁传感器和双轴TMR全桥磁传感器。该TMR全桥磁传感器包括基片和位于基片表面上的四个MTJ单元，一个MTJ单元包括沿着预定方向依次层叠的底电极、MTJ以及顶电极，四个MTJ单元桥式连接形成惠斯通全桥结构，四个MTJ单元分别构成惠斯通全桥结构的四个桥臂，任意一个MTJ单元的一端与一侧相邻的MTJ单元通过顶电极电连接，任意一个MTJ单元的另一端与另一侧相邻的MTJ单元通过底电极电连接，底电极用于注入脉冲电流并设定参考层的磁化方向，且相邻桥臂上的脉冲电流的流向相反，预定方向为基片厚度的方向。该TMR全桥磁传感器解决了现有技术中构建TMR全桥磁传感器难度大成本高的问题。
-
公开(公告)号：CN119894350A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311386899.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁存储领域，特别是涉及一种磁电阻膜堆的制造方法及磁电阻传感器，通过设置参考层，并在所述参考层表面设置势垒层；在所述势垒层表面设置倾斜磁矩厚度的自由层，所述自由层在所述倾斜磁矩下的磁化方向不在所述自由层的平面内；对所述自由层进行形状各向异性处理，使所述自由层的磁化方向与所述自由层的平面的夹角减小到第一阈值内，得到所述磁电阻膜堆。本申请中通过控制所述自由层的厚度，先将所述自由层的磁化方向改为倾斜设置，倾斜磁矩下的自由层的各向异性场大幅降低，使得自由层的灵敏度大幅提升，同时在上述具有倾斜磁矩的自由层的磁电阻膜堆基础上，借助形状各向异性实现自由层磁化方向沿面内长轴排列，实现线性输出。
-
公开(公告)号：CN119959829A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311487425.5
申请日：2023-11-08
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁性存储器领域，特别是涉及一种TMR传感器件的生产方法及生产设备，通过将金属层光罩置于正位，并通过正位的金属层光罩制作与底部衬垫连接的底部金属层；在所述底部金属层上设置MTJ元件层；在所述MTJ元件层上通过逆位的金属层光罩制作与顶部衬垫连接的顶部金属层，得到器件前驱体；在所述器件前驱体的所述顶部衬垫及所述底部衬垫上开设连接窗口，得到TMR传感器件。本发明将所述顶部金属层及所述底部金属层的图案进行设计，使所述顶部金属层及所述底部金属层的图案相同，但方向颠倒，仅利用一个金属层光罩，通过不同的旋转位置，分别对所述顶部金属层及所述底部金属层的设置，降低了生产成本，提升了生产效率。
-
公开(公告)号：CN119730699A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311267936.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直型磁电阻传感器，该垂直型磁电阻传感器包括顺序层叠设置在半导体衬底上的固定层、势垒层和自由层，其中，垂直型磁电阻传感器在半导体衬底上的投影具有边线，边线上任意两点之间具有最大间距，自由层在层叠方向上具有最大厚度，最大厚度小于最大间距，且最大厚度与最大间距之比大于0.5。通过本申请，能够使得自由层的各向异性场Hk明显减小，此时垂直型磁电阻传感器的自由层可以在较小的外磁场作用下即可实现向面外方向转动，因此，本申请的垂直型磁电阻传感器相较于现有技术的垂直型磁电阻传感器具有较高的灵敏度。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.032 seconds)
