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公开(公告)号：CN111044953B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202010010607.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本发明在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本发明的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。
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公开(公告)号：CN113671296B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202111045836.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种台区识别仪，包括：用于在电网线路上产生频率恒定幅值可变、切割工频正弦波的动态特征电流信号的信号发送模块，信号发送模块设置于电网系统电表端，与电网系统的零线和火线相连；与信号发送模块通信连接的信号接收模块，信号接收模块设置于电网系统变压器端，信号接收模块包括信号采集单元、信号处理单元以及为信号采集单元和信号处理电源供电的供电单元，信号采集单元设置于电网线路的三相线上，信号采集单元为磁场传感器，信号处理单元接收来自信号采集单元输出的磁场信息，并计算脉冲信号量，进行台区识别。本发明能够快速、准确地实现台区识别、用户相位识别、分支判断，可应用于用户的台区归属、网络拓扑确定等。
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公开(公告)号：CN113671296A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111045836.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种台区识别仪，包括：用于在电网线路上产生频率恒定幅值可变、切割工频正弦波的动态特征电流信号的信号发送模块，信号发送模块设置于电网系统电表端，与电网系统的零线和火线相连；与信号发送模块通信连接的信号接收模块，信号接收模块设置于电网系统变压器端，信号接收模块包括信号采集单元、信号处理单元以及为信号采集单元和信号处理电源供电的供电单元，信号采集单元设置于电网线路的三相线上，信号采集单元为磁场传感器，信号处理单元接收来自信号采集单元输出的磁场信息，并计算脉冲信号量，进行台区识别。本发明能够快速、准确地实现台区识别、用户相位识别、分支判断，可应用于用户的台区归属、网络拓扑确定等。
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公开(公告)号：CN113061855A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110242889.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种TMR芯片的制备方法，包括以下步骤：晶圆清洗，采用有机溶剂和去离子水交替清洗晶圆，然后用惰性气体吹干晶圆，再将晶圆烘干；离子清洗，对晶圆采用惰性气体进行离子清洗；负偏压低气压磁控溅射，将晶圆放入溅射设备腔体中，使用偏压电源在晶圆和设备腔体之间施加‑200～‑2000V的负偏压，在低于0.3pa的气压条件下进行磁控溅射；退火，退火温度为250～400℃。本发明方法从TMR芯片制备过程中材料生长的全局出发，考虑了在薄膜生长中的各环节影响膜层结合力的因素，并给以针对性的解决方案，使得TMR芯片膜层结合力良好，能经受住后续微加工环节的各种考验。
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公开(公告)号：CN109596512B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910029920.9
申请日：2019-01-10
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种物体内部直流微小电流的测量方法，包括以下步骤：将开合式直流电流传感器打开套在被测物体的外围，闭合后上电，记录传感器输出的电压，然后断电，传感器首次安装方向为正方向；将传感器打开套在被测物体的外围，闭合后使传感器上电，记录传感器输出的电压，然后断电，第二次测量时传感器的安装方向与首次测量时的安装方向相反；根据公式计算被测物体内微小电流的大小：m'＝(|a|+|b|+Δx)/2k。本发明方法采用开合式直流电流传感器测量被测物体内的微小电流，利用和差公式将传感器输出端叠加的相同矢量信号进行分离，有效提高了测量结果的准确性，从而可以对舰船的管道、设备的腐蚀情况进行准确判断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112363097A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011205282.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁电阻传感器芯片，包括：第一感应单元，所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽；第二感应单元，所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥，其中，一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽，另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中；数据处理单元，所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后，输出最终的感应信号。本发明通过设置两个感应单元，一个对外输出与温度和磁场有关的信号，另一个对外输出只与温度有关的信号，通过对两个输出信号进行除法处理，来消除外界温度对传感器芯片的干扰，减小传感器芯片的温漂，使传感器芯片具有更高的准确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN111106232A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010011821.0
申请日：2020-01-07
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种电流传感器芯片及其制备方法，包括：基底；设置于所述基底上的电流导体，所述电流导体通过连接电极与外部被测导体相连；设置于所述基底上的磁阻传感单元，所述磁阻传感单元对称设置于每一所述电流导体的两侧，所述磁阻传感单元通过输出电极输出检测信号。本发明在电流导体的两侧对称设置磁阻传感单元，利用磁阻传感单元作为磁场检测元件，由于传感器的传感部分以及电流导体均位于芯片内部，可以消除外界磁场的干扰，具有更高的稳定性，而且磁阻传感单元耗能低，可以降低传感器的功耗。同时本发明的传感器可以采用半导体工艺制备，不仅提高了产品的集成度，结构更紧凑，体积更小，也降低了生产成本，便于实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN111044953A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010010607.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海多创科技有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本发明在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本发明的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。
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公开(公告)号：CN110988438A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911279399.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 一种直流比较仪，包括：一对可开合的主铁芯、绕制于所述主铁芯外的激励线圈和二次反馈线圈，以及信号处理电路，所述信号处理电路包括；调制电路以及依次相连的解调电路、信号放大电路和信号反馈电路；所述主铁芯外包覆有多铁材料薄膜，所述多铁材料薄膜与调零电路相连。本发明在主铁芯外包覆多铁材料薄膜，将调零电路与多铁材料薄膜相连，通过对多铁材料薄膜中压电层加载电压，来改变铁磁层(多铁材料薄膜)的磁导率，来抑制主铁芯的不对称性，从而从根本上上解决了因铁芯的不对称性、差异性导致的零点问题，提高了直流比较仪的精度。
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公开(公告)号：CN111650429B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202010495276.7
申请日：2020-06-03
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: 磁传感芯片、温度补偿电流传感器及其制备方法，温度补偿电流传感器包括：聚磁环、绕制于聚磁环上的反馈线圈、设置于聚磁环缺口处的磁传感芯片、与磁传感芯片及反馈线圈相连的磁平衡电路；磁传感芯片包括形成全桥结构的隧道结磁电阻元件及热敏电阻，热敏电阻位于隧道结磁电阻元件的电极层上，电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，热敏电阻为钌电阻，热敏电阻与温度补偿电路相连，反馈线圈向温度补偿电路输出电流信号，温度补偿电路用于根据钌电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。本发明将热敏元件集成在磁传感芯片内部，温度采集区域与磁场检测的区域更加靠近，反馈的温度信息更加准确，而且不会额外增加其它材料和工艺难度。
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