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公开(公告)号：CN1765035A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480008032.0
申请日：2004-02-23
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，尤其是一种单模式激光器，其在它的激光谐振器内包含至少一个吸收层(8)，该吸收层减小在激光谐振器内的激光射线(10)的透射率TRos来减小用于反馈到激光谐振器内的射线(9)的、半导体激光器的反作用灵敏度。由此，由于反馈的射线(9)而造成的输出功率的波动被减小了。
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公开(公告)号：CN100459330C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480008032.0
申请日：2004-02-23
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，尤其是一种单模式激光器，其在它的激光谐振器内包含至少一个吸收层(8)，该吸收层减小在激光谐振器内的激光射线(10)的透射率TRes来减小半导体激光器的由于反馈到激光谐振器内的射线(9)而引起的反作用灵敏度。由此，由于反馈的射线(9)而造成的输出功率的波动被减小了。
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公开(公告)号：CN100459329C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480035342.1
申请日：2004-10-26
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/06825 , H01L27/15 , H01S5/0261 , H01S5/042 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/40
Abstract: 本发明涉及一种发光的半导体器件，所述发光半导体器件包含带有一个p掺杂的半导体层(4)区域和一个n掺杂的半导体层(3)区域的半导体层序列(2)，并且在所述区域构成一个第一pn结(5a、5b)。所述pn结(5a、5b)沿横向由一个绝缘段(6)划分成一个发光段(7)和一个保护二极管段(8)。在保护二极管段(8)的区域中在p掺杂半导体层(4)的区域敷设一个n掺杂的层(9)，所述n掺杂的层所述p掺杂的区域(4)一起构成一个起保护二极管作用的第二pn结(10)，其中在保护二极管段(8)中的第一pn结(5b)比发光段(7)中的第一pn结(5a)有较大的面积。保护二极管段(8)保护发光的半导体器件防止受到静电放电(ESD)引起的电压脉冲。
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公开(公告)号：CN1886874A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035342.1
申请日：2004-10-26
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/06825 , H01L27/15 , H01S5/0261 , H01S5/042 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/40
Abstract: 本发明涉及一种发光的半导体器件，所述发光半导体器件包含带有一个p掺杂的半导体层(4)区域和一个n掺杂的半导体层(3)区域的半导体层序列(2)，并且在所述区域构成一个第一pn结(5a、5b)。所述pn结(5a、5b)沿横向由一个绝缘段(6)划分成一个发光段(7)和一个保护二极管段(8)。在保护二极管段(8)的区域中在p掺杂半导体层(4)的区域敷设一个n掺杂的层(9)，所述n掺杂的层所述p掺杂的区域(4)一起构成一个起保护二极管作用的第二pn结(10)，其中在保护二极管段(8)中的第一pn结(5b)比发光段(7)中的第一pn结(5a)有较大的面积。保护二极管段(8)保护发光的半导体器件防止受到静电放电(ESD)引起的电压脉冲。
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