公开(公告)号：CN113243043B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980082989.6

申请日：2019-11-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。

公开(公告)号：CN117321256A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280030633.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛

IPC: C30B29/16

Abstract: 本发明是一种层叠结构体，其特征在于包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，提供包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体以及所述层叠结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN116157360A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180055292.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 坂爪崇宽 ,  渡部武纪

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化并进行成膜。由此，能够提供一种成膜方法，该方法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。

公开(公告)号：CN110073504B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201680090766.0

申请日：2016-11-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: [问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。

公开(公告)号：CN115777029A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180045862.4

申请日：2021-06-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  坂爪崇宽 ,  川原村敏幸 ,  邓太江 ,  安冈龙哉

IPC: C23C16/448

Abstract: 本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。

公开(公告)号：CN110100317B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201680090730.2

申请日：2016-12-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18

Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。

公开(公告)号：CN109906515A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201680090416.4

申请日：2016-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成射极层的步骤，在射极层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去扩散屏蔽的部位，形成基底层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN109463019A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201780036800.0

申请日：2017-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，其具备具有第一导电型的半导体基板，在该基板的第一主表面上，具备具有与所述第一导电型相同导电型的第一导电型层及具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二导电型层，在位于所述第一主表面的第一导电型层上具备第一集电极，在位于所述第一主表面的第二导电型层上具备第二集电极，其特征在于，具有所述第二导电型的第二导电型层在所述半导体基板的侧面与位于所述第一主表面的第二导电型层连续地形成。由此，能够提供一种能够有效地收集载流子且转换效率优异的太阳能电池。

公开(公告)号：CN103155163B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180035025.X

申请日：2011-07-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  高桥光人 ,  桥上洋 ,  村上贵志 ,  月形信太郎 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN103155165B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201180048928.1

申请日：2011-08-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大岩秀雄 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之 ,  原一雄

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用于太阳电池的基板和太阳电池，其中，在平面图中具有正方形形状的硅基板的一个角部处形成平的斜切的部分，或者在角部或角部附近形成缺口。本发明使得能够很容易地在太阳电池制造步骤中检查基板的位置并确定基板的方向，并抑制由于基板方向产生的失败。