-
公开(公告)号：CN106843348B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610839278.7
申请日：2016-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种电压调节器和包括该电压调节器的移动设备。该电压调节器包括：误差放大器，被配置为通过第一节点接收第一电压作为操作电压，以放大参考电压和反馈电压之间的差，并且输出放大的电压；功率晶体管，连接在第二节点与电压调节器的输出节点之间，通过所述第二节点提供第二电压；以及开关电路，被配置为响应于第一电压的第一功率序列、第二电压的第二功率序列和操作控制信号，选择提供至功率晶体管的栅极的栅极电压的电平和提供至功率晶体管的体的体电压的电平。
-
公开(公告)号：CN104715794B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201410748017.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了电压调节器、存储器控制器及其电压供应方法。本发明构思的存储器控制器可包括：工作调节器，其被配置为在工作模式下进行操作并且在睡眠模式下不工作；工作逻辑部，其被配置为接收驱动电压；电力选通开关，其被配置为在工作模式的瞬变状态之后将工作调节器连接至工作逻辑部，所述瞬变状态为工作模式的初始时间段；以及充电电路，其被配置为在所述瞬变状态期间为工作逻辑部充电。
-
公开(公告)号：CN108292317A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068844.7
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G10L15/22 , G06F17/30654 , G06K9/00255 , G10L13/043 , G10L15/265 , G10L2013/083 , G10L2015/227 , G10L2015/228 , H04N7/183
Abstract: 提供了一种电子设备。该电子设备包括通信接口和被配置为与通信接口功能地连接的处理器，该通信接口包括通信电路，其中该处理器被配置为：获得语音信号，与获得语音信号相关地获得与用户相关联的语境信息，如果语境信息满足第一条件，则确定与语音信号相对应的第一响应信息；如果语境信息满足第二条件，则确定与语音信号相对应的第二响应信息；并且将与第一响应信息和/或第二响应信息相对应的响应信息的至少一部分发送到与电子设备可操作地连接的输出设备或电子设备的外部电子设备。
-
公开(公告)号：CN106898545A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710130527.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038922B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710084948.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/24 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11546
Abstract: 在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。
-
公开(公告)号：CN101038922A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710084948.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/04 , G11C16/24 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11546
Abstract: 在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。
-
公开(公告)号：CN118943041A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410348471.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴柾俊 , 高钟星 , 金大容 , 金东贤 , 金志洙 , 金平刚 , 朴基鸿 , 朴正濬 , 朴柱永 , 朴俊赫 , 宋镐石 , 安治昊 , 李供雨 , 李现英 , 郑周泳 , 黄政闵
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 提供了腔室内维护设备。所述腔室内维护设备可以包括：载物台模块，包括：载物台主体，在具有中空内部的腔室内；XY载物台，安装在载物台主体的上表面上并且在彼此垂直的X轴和Y轴方向上可移动；以及第一驱动部，被配置为驱动XY载物台；以及夹持器模块，包括：夹持器主体，结合到XY载物台的上表面；夹持部，通过夹持器主体支撑并且被配置为相对于与X轴和Y轴垂直的Z轴上下移动和旋转以插入中空内部；以及第二驱动部，被配置为驱动夹持部。
-
公开(公告)号：CN111261704B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911003483.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/538 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，所述有源图案在第一方向上延伸；栅电极，位于所述有源图案上，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分；第一接触插塞，位于所述栅电极上，所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面；源极/漏极区，位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中；以及源极/漏极接触，位于所述源极/漏极区上，所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度，并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。
-
公开(公告)号：CN110299309B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910225551.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.026 seconds)
