公开(公告)号：CN101884101B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN200880119004.4

申请日：2008-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三濑信行 ,  荣森贵尚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及CMOS半导体装置及其制造方法。本发明的CMOS半导体装置包括n型MOSFET和p型MOSFET，n型MOSFET的栅极电极具有由high‑k材料构成的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上并由金属材料构成的第一金属层，p型MOSFET的栅极电极具有由high‑k材料构成的第二绝缘层和设置在第二绝缘层上并由金属材料构成的第二金属层，第一绝缘层和第二绝缘层由不同的high‑k材料构成，第一金属层和第二金属层由相同的金属材料构成。

公开(公告)号：CN101651120B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200910158476.7

申请日：2009-07-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 荣森贵尚 ,  三濑信行

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明的目的在于提高使用高介电率膜的栅绝缘膜的MIS晶体管的晶体管特性。在衬底的主面上形成的氧化硅(SiO2)膜上，形成含有铪和氧的基底绝缘膜。然后，在基底绝缘膜上形成比基底绝缘膜薄、并且只由金属元素构成的金属薄膜，并在该金属薄膜上形成具有耐湿性和耐氧化性的保护膜。然后，在具有保护膜的状态下，通过将金属薄膜的金属元素全部在基底绝缘膜中扩散，在氧化硅膜上形成比氧化硅膜厚且比氧化硅的介电率高的、含有基底绝缘膜的铪和氧以及金属薄膜的金属元素的混合膜(高介电率膜)。

公开(公告)号：CN101884101A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119004.4

申请日：2008-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三濑信行 ,  荣森贵尚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及CMOS半导体装置及其制造方法。本发明的CMOS半导体装置包括n型MOSFET和p型MOSFET，n型MOSFET的栅极电极具有由high-k材料构成的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上并由金属材料构成的第一金属层，p型MOSFET的栅极电极具有由high-k材料构成的第二绝缘层和设置在第二绝缘层上并由金属材料构成的第二金属层，第一绝缘层和第二绝缘层由不同的high-k材料构成，第一金属层和第二金属层由相同的金属材料构成。