公开(公告)号：CN108701609B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201780014745.5

申请日：2017-03-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴山宣之 ,  林昌之 ,  阿野诚士 ,  江户彻

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种基板处理方法，包含：含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤，从喷嘴对保持在基板保持单元的基板的一个主面，喷出在氢氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氢氟酸溶液；以及刷清洗步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤后、或与上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤并行，使清洗刷抵接上述基板的上述一个主面而对该一个主面进行清洗。

公开(公告)号：CN108701609A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014745.5

申请日：2017-03-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴山宣之 ,  林昌之 ,  阿野诚士 ,  江户彻

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种基板处理方法，包含：含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤，从喷嘴对保持在基板保持单元的基板的一个主面，喷出在氢氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氢氟酸溶液；以及刷清洗步骤，在上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤后、或与上述含臭氧氢氟酸溶液喷出步骤并行，使清洗刷抵接上述基板的上述一个主面而对该一个主面进行清洗。

公开(公告)号：CN108260266A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711420309.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  阿野诚士

IPC: H05F3/00

Abstract: 本发明提供一种除静电装置，能够根据基板主面的各区域适当地降低基板主面上积累的电荷的量。除静电装置(10)对带静电基板(W1)进行降低带静电量的处理。除静电装置(10)具有基板保持机构(1)和紫外线照射机构(2)。基板保持机构(1)保持基板(W1)。紫外线照射机构(2)能够以对基板(W1)的主面进行划分而成的多个区域互不相同的照射量对基板的主面照射紫外线。

公开(公告)号：CN115428123A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029372.5

申请日：2021-03-11

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿野诚士 ,  小路丸友则

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的基板处理装置(100)具备基板保持部(120)、药液供给部(130)、基板信息取得部(22a)、药液处理条件信息取得部(22b)、及控制部(22)。基板信息取得部(22a)取得包含硬化层厚度信息或离子注入条件信息的基板信息，该硬化层厚度信息表示处理对象基板的抗蚀层中的硬化层的厚度，该离子注入条件信息表示在抗蚀层形成硬化层的离子注入的条件。药液处理条件信息取得部(22b)基于基板信息，自学习完成模型取得表示关于处理对象基板的药液处理条件的药液处理条件信息。控制部(22)根据药液处理条件信息来控制基板保持部(120)及药液供给部(130)，以利用药液对处理对象基板进行处理。

公开(公告)号：CN108260266B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201711420309.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  阿野诚士

IPC: H05F3/00

Abstract: 本发明提供一种除静电装置，能够根据基板主面的各区域适当地降低基板主面上积累的电荷的量。除静电装置(10)对带静电基板(W1)进行降低带静电量的处理。除静电装置(10)具有基板保持机构(1)和紫外线照射机构(2)。基板保持机构(1)保持基板(W1)。紫外线照射机构(2)能够以对基板(W1)的主面进行划分而成的多个区域互不相同的照射量对基板的主面照射紫外线。

公开(公告)号：CN113632012B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202080020066.0

申请日：2020-02-04

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山口贵大 ,  新庄淳一 ,  中野佑太 ,  泽崎尚树 ,  阿野诚士 ,  岩崎晃久

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法，其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜，则处理时间变长的课题；虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离，但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题，能够抑制废液处理的负担，并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法，其具备：使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序；以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。

公开(公告)号：CN113632012A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080020066.0

申请日：2020-02-04

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山口贵大 ,  新庄淳一 ,  中野佑太 ,  泽崎尚树 ,  阿野诚士 ,  岩崎晃久

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法，其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜，则处理时间变长的课题；虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离，但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题，能够抑制废液处理的负担，并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法，其具备：使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序；以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。