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公开(公告)号：CN103050396B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210594434.X
申请日：2012-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN103165374A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110407353.X
申请日：2011-12-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子处理装置以及用于该等离子体处理装置的边缘环，其中，其中所述等离子处理装置包括：一个反应腔体，反应腔体围绕一个基座，基座上固定有待加工基片，基座与反应腔体顶壁之间的空间构成一个等离子加工区，其中所述边缘环安装在基座上靠近并环绕所述基片，所述边缘环上表面暴露到所述等离子加工区，其中所述边缘环包括一个本体部分和位于本体部分上表面的镀层部分，所述镀层为TiN材料。通过边缘环上镀含钛材料层可以减轻自由基对掩膜的破坏。
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公开(公告)号：CN103021934A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210560146.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供一种通孔或接触孔的形成方法，所述方法包括：刻蚀第一电介质层；刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层，以暴露出位于所述刻蚀阻挡层下方的第二电介质层中的金属结构；其特征在于，所述刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层包括：重复执行第一刻蚀过程；其中，所述第一刻蚀过程由下述步骤（a）和（b）组成：（a）在第一时间段内，向反应腔室内施加高射频功率，以对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；（b）在第二时间段内，向反应腔室内施加低射频功率，以淀积聚合物用以保护所述通孔或接触孔的侧壁。相对于现有技术，采用本发明实施例提供的通孔或接触孔的形成方法制作通孔或接触孔的半导体结构的电性能较高。
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公开(公告)号：CN103035508B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210593718.7
申请日：2012-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物气体，作为特征尺寸收缩方法中的高分子聚合物气体，在低频射频功率下进行等离子体刻蚀，从而有效控制特征尺寸收缩过程中分子链长度和等离子体能量、密度，能够控制等离子体刻蚀形成的聚合物分子链长度，避免了等离子体刻蚀过程中长分子链聚合物的形成。同时，该特征尺寸收缩方法的等离子体刻蚀工艺在高压环境下进行，能够进一步改善刻蚀过程中聚合物沉积的物理轰击现象，从而有效避免条纹现象的出现，改善特征尺寸收缩后刻蚀结构的线边缘粗糙度，进一步提高工艺质量，实现特征尺寸的有效、高质量收缩。
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公开(公告)号：CN104576280A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310504954.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/20 , H01J37/32697 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/67011 , H01L21/6833
Abstract: 本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103854995A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210521264.2
申请日：2012-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。
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公开(公告)号：CN103187264A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449965.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，将等离子体刻蚀室的下电极连接一射频电源，所述射频电源的频率为小于27兆赫兹，功率小于1000瓦并控制等离子体刻蚀室内反应气体中氟碳化合物和氧化物含量的比例范围为1∶3-10∶1使得等离子体刻蚀室内等离子体浓度较低，再配合对反应气体流速控制，使得光刻胶保护的氧化硅层的刻蚀速率较慢，便于对刻蚀过程的控制；同时采用低频率的射频电源，还可以保证等离子体分布较均匀，从而使得待刻蚀工件均匀度较好。
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公开(公告)号：CN107665856A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610614424.6
申请日：2016-07-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供用于形成接触孔的方法与等离子体刻蚀方法，用以抑制栅上方氮化物层的肩部损伤。其中，所述等离子体刻蚀方法，包括：提供基片至等离子体刻蚀装置的反应腔，所述基片包括多个栅、位于栅上方及两侧的氮化物层、填充在相邻栅之间及氮化物层上方的氧化物层；将第一气体作为反应气体通入至反应腔，刻蚀所述氧化物层；将第二气体作为反应气体通入至反应腔，修复栅上方的氮化物层的形貌；将反应气体切换回第一气体，刻蚀相邻栅之间的氧化物层，以形成所述接触孔；其中，所述第一气体对氧化物层的刻蚀速度比第二气体快，所述第二气体对氮化物层的刻蚀速度比第一气体快。
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公开(公告)号：CN103021934B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210560146.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供一种通孔或接触孔的形成方法，所述方法包括：刻蚀第一电介质层；刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层，以暴露出位于所述刻蚀阻挡层下方的第二电介质层中的金属结构；其特征在于，所述刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层包括：重复执行第一刻蚀过程；其中，所述第一刻蚀过程由下述步骤（a）和（b）组成：（a）在第一时间段内，向反应腔室内施加高射频功率，以对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；（b）在第二时间段内，向反应腔室内施加低射频功率，以淀积聚合物用以保护所述通孔或接触孔的侧壁。相对于现有技术，采用本发明实施例提供的通孔或接触孔的形成方法制作通孔或接触孔的半导体结构的电性能较高。
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公开(公告)号：CN104299899A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310302894.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了间隔层双曝光刻蚀方法，在有机材料层、半导体基底进行刻蚀前，采用含CF4、Ar、Xe等易形成正离子气体的刻蚀气体对间隔层进行刻蚀，实现对间隔层形貌的修正，在减薄间隔层厚度的同时，将其形貌修正为对称或近似对称的结构，从而避免间隔层引起的刻蚀速率不均匀以及过刻等问题。同时，通过刻对间隔层减薄，也在一定程度上减小了间隔层和有机材料层之间的应力，从而改善刻蚀结构的线边缘粗糙度，提高半导体基底的刻蚀质量。
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