公开(公告)号：CN105355521A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510853484.9

申请日：2015-11-28

Applicant: 青岛科技大学

Inventor： 李镇江 ,  宋冠英 ,  孟阿兰 ,  马凤麟 ,  张栋梁

IPC: H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J19/24 ,  H01J2201/30484

Abstract: 本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(4～4.7V/μm)，在场发射冷阴极的制造方面，体现出较高的实用价值。