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公开(公告)号：CN107274925B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710342461.0
申请日：2013-03-06
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及存储系统和存储器件。存储系统包括：存储器件，包括多个存储单元；驱动电路，被配置为控制所述存储单元；以及存储控制单元，被配置为在所述存储器件记录数据之前，向所述存储器件提供待机电流，其中，所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极；其中，电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动。
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公开(公告)号：CN104241286B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410256897.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , G11B5/84
Abstract: 本发明公开了存储元件、存储装置、制造存储元件的方法及磁头。存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，包括垂直于膜表面的磁化，其中，磁化方向对应于信息而改变；磁化固定层，包括垂直于膜表面的磁化，所述磁化成为对于存储在存储层上的信息的基准；隧道势垒层，由氧化物制成，被设置在存储层与磁化固定层之间；以及自旋势垒层，由氧化物制成，设置为与存储层的接触隧道势垒层的表面相反侧的表面接触。低电阻区域形成在形成具有预定的设定膜厚度值的自旋势垒层的一部分中，并且通过在层结构的堆叠方向上流动的电流改变存储层的磁化方向来执行在存储层上的信息的存储。
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公开(公告)号：CN107195320A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710122445.0
申请日：2012-11-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明公开一种存储设备，包括：具有磁化的存储元件，其中磁化方向配置为通过施加流过所述存储元件的电流而改变，所述存储元件包括Co‑Fe‑B磁性元件以及至少一个非磁性元件；磁化固定元件；非磁性材料，设置在所述存储元件和所述磁化固定元件之间；以及氧化物材料，作为非磁性材料设置在所述存储元件的相反侧上，其中所述氧化物材料包括Li。
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公开(公告)号：CN107103918A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710224149.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及一种存储元件，该存储元件包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。
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公开(公告)号：CN106953005A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611035933.X
申请日：2012-07-25
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285291B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380024338.4
申请日：2013-03-06
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H04W72/048 , G11C5/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H04W72/085 , H04W72/121
Abstract: [问题]为了实现能够利用较少电流在高速下操作同时抑制读出信号的振幅降低的存储设备。[解决方案]存储设备包括存储元件、配线部和存储控制部。存储元件包括层状结构并被配置为使得电流在层状结构的堆叠方式上可流经其，所述层状结构至少包括其中磁化方向对应于信息改变的存储层、具有固定磁化方向的磁化固定层以及由非磁性材料制成的布置在存储层和磁化固定层之间的中间层。配线部供应电流，电流在堆叠方向上流向存储元件。存储控制部使预定电平的待机电流通过配线部流向存储元件，从而存储层的磁化方向相对于垂直于膜表面的方向倾斜，并随后，在该状态下，使处于比待机电流的电平更大的电平的记录电流通过配线部流动以改变存储层的磁化方向并使存储层存储信息。
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公开(公告)号：CN103151455B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210488960.8
申请日：2012-11-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L43/08
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置。一种存储元件包括分层结构。该分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有与膜面垂直的磁化，其中该磁化的方向取决于信息而改变，并且该磁化的方向通过在分层结构的层压方向上施加电流而被改变从而将信息记录在存储层中。磁化固定层具有成为存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层。中间层由非磁材料形成并且被设置在存储层和磁化固定层之间。
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公开(公告)号：CN103137852B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210484675.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中，存储层包括第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层，其层压在第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在键合层上并经由键合层与第一铁磁层键合，第二铁磁层具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向；磁化固定层，其具有固定的磁化方向；中间层，其被配置在存储层与磁化固定层之间，并与第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与第二铁磁层接触。
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公开(公告)号：CN104126204A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201380010233.3
申请日：2013-02-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G06F3/0661 , G06F3/0614 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2003/0695 , G06F2212/7208 , G11C7/1006 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2211/5647
Abstract: 一种存储器包括：包括多个数据单元的存储器阵列单元，以及控制器。控制器被配置为：接收数据；使用用于将数据片段转换成另一数据片段的转换规则，将数据转换成转换数据，其中，转换规则是基于所接收的数据来选择的而与写入数据单元中的当前数据无关；以及将转换数据和对应于转换规则的转换规则标识符写入数据单元。
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公开(公告)号：CN103959407A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280057911.7
申请日：2012-11-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 一种存储元件，包括：磁化固定层和磁化自由层。所述磁化固定层包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层。所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。
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