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公开(公告)号：CN102272964B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200980153752.9
申请日：2009-11-11
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性隧穿结单元与制造磁性隧穿结单元的方法，该磁性隧穿结包括至少紧邻单元的铁磁自由层(112)延伸的放射状保护层(120)。可特定地选择该放射状保护层的厚度、沉积方法、材料成分、和/或沿着单元层的程度以便增强自由层的有效磁性质，有效磁性质包括有效矫顽力、有效磁各向异性、有效磁矩散布、或有效自旋极化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102687215A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080032381.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01L43/08 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性叠层具有自由层、参考层以及两者之间的阻挡层，其中自由层具有可切换的磁化取向，参考层具有被钉扎的磁化取向。叠层包括与自由层电隔离且与参考层物理接触的环形反铁磁钉扎层。在一些实施例中，参考层比自由层大。
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公开(公告)号：CN102272846B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN200980154227.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01F10/329 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254
Abstract: 用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。
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公开(公告)号：CN102272964A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153752.9
申请日：2009-11-11
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性隧穿结单元与制造磁性隧穿结单元的方法，该磁性隧穿结包括至少紧邻单元的铁磁自由层(112)延伸的放射状保护层(120)。可特定地选择该放射状保护层的厚度、沉积方法、材料成分、和/或沿着单元层的程度以便增强自由层的有效磁性质，有效磁性质包括有效矫顽力、有效磁各向异性、有效磁矩散布、或有效自旋极化。
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公开(公告)号：CN102687215B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201080032381.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/098 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01L43/08 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性叠层具有自由层、参考层以及两者之间的阻挡层，其中自由层具有可切换的磁化取向，参考层具有被钉扎的磁化取向。叠层包括与自由层电隔离且与参考层物理接触的环形反铁磁钉扎层。在一些实施例中，参考层比自由层大。
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公开(公告)号：CN102272846A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154227.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01F10/329 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254
Abstract: 用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。
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