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公开(公告)号：CN111095564A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201780094562.9
申请日：2017-09-12
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 公开了用于形成包括源极接触部和漏极接触部以及栅电极中的一个或多个(其包括含有过渡金属的晶态合金)的半导体集成电路的技术。所述晶态合金有助于降低对于半导体器件的接触电阻。在本公开的一些实施例中，这一接触电阻的降低是通过使晶态合金的功函数与源极区和漏极区的功函数对齐，使得与晶态合金与源极区之间的界面和晶态合金与漏极区之间的界面相关联的肖特基势垒高度处于小于或等于0.3eV的范围内而实现的。
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公开(公告)号：CN106688118B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201480080460.8
申请日：2014-08-05
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容的实施例描述了用于提高磁性隧道结的界面各向异性的配置和技术。在实施例中，磁性隧道结可以包括盖帽层、隧道阻挡部、以及被设置在盖帽层与隧道阻挡部之间的磁性层。在一些实施例中，缓冲层可以被设置在磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一之间。在这样的实施例中，缓冲层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性可以大于磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN107660304A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201580080352.5
申请日：2015-06-24
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01F10/3268 , G11C11/155 , G11C11/1675 , H01F10/265 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03K19/16
Abstract: 描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
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公开(公告)号：CN107660304B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201580080352.5
申请日：2015-06-24
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107359197B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710216991.0
申请日：2013-06-12
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/161 , H01L29/16 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 描述了CMOS架构的隧穿场效应晶体管(TFET)以及制造N型和P型TEFT的方法。例如，隧穿场效应晶体管(TFET)包括同质结有源区，所述同质结有源区设置在衬底上方。所述同质结有源区包括在其中具有无掺杂的沟道区的弛豫的Ge或GeSn本体。所述同质结有源区还包括掺杂的源极区和漏极区，所述掺杂的源极区和漏极区设置在所述沟道区的任一侧上的弛豫的Ge或GeSn本体中。所述TFET还包括栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在所述源极区与所述漏极区之间的所述沟道区上。所述栅极叠置体包括栅极电介质部分和栅极电极部分。
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公开(公告)号：CN105474320A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046356.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C29/028 , G11C29/56008 , G11C29/56012 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08
Abstract: 描述了具有增强的稳定性和低阻尼的垂直自旋转移转矩存储器(STTM)器件。例如，用于磁隧道结的材料层堆叠体包括固定磁层。在所述固定磁层之上设置电介质层。在所述电介质层之上设置第一自由磁层。第二自由磁层与所述第一自由磁层磁耦合。
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公开(公告)号：CN106663466B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201480080941.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容涉及自旋转移矩存储器器件和自旋逻辑器件的制造，其中，应变工程设计界面形成在这些器件内的至少一个磁体内。在一个实施例中，自旋转移矩存储器器件可以包括自由磁性层叠置体，该自由磁性层叠置体包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层。在另一个实施例中，自旋逻辑器件可以包括输入磁体、输出磁体；其中，输入磁体和输出磁体中的至少一个包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层和/或邻接在输入磁体与输出磁体之间延伸的晶体自旋相干沟道的晶体磁性层。
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公开(公告)号：CN105318621A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510415749.7
申请日：2015-06-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: F25D1/00
CPC classification number: F28F1/10 , F28F3/12 , F28F13/06 , H01L23/473
Abstract: 本发明描述了具有歧管的传热设备。所述歧管具有带有流体出口开口和流体入口开口的表面。流体从所述流体出口开口流出并且流入所述流体入口开口。所述歧管具有从所述流体出口开口与所述流体入口开口之间的表面发出的突起。本发明还描述了具有导热凹槽结构的设备。所述导热凹槽结构具有带有第一空腔和第二空腔的表面，以形成第一和第二流体通道。导热凹槽结构具有从所述空腔之间发出的突起。所述突起具有侧表面以形成所述第一流体通道和所述第二流体通道的部分。
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公开(公告)号：CN105009293B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201380072798.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 描述了基于纳米线的机械开关器件。例如，纳米线继电器包括设置在空隙中的纳米线，空隙被设置在衬底上方。纳米线具有锚定部分和悬浮部分。第一栅极电极被设置为邻近空隙并与纳米线间隔开。第一导电区被设置为邻近第一栅极电极并邻近空隙，并且与纳米线间隔开。
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