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公开(公告)号：CN103250263B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180058075.X
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社爱发科 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。
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公开(公告)号：CN116998021A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022035.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁存储器和人工智能系统，通过流过重金属层的写入电流，能够实现低电阻，高效地使记录层的磁化方向反转，而不会降低反转效率。磁阻效应元件(10)包括：重金属层(11)，其通过层叠Ir层(12)和Pt层(13)而成；记录层(16)，其以与重金属层(11)相向的方式设置，包含具有可反转的磁化的第1铁磁层；参考层(18)，其包含磁化方向固定的第2铁磁层；以及阻挡层(17)，其被第1铁磁层和第2铁磁层夹着，采用绝缘体形成，通过流过重金属层(11)的写入电流，使第1铁磁层的磁化方向反转。
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公开(公告)号：CN117480619A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042206.3
申请日：2022-06-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 本发明提供一种能够使写入电流流过并实现高密度化和/或高速存储器的层叠膜、使用该层叠膜的磁阻效应元件。磁性层叠膜(10)包括：第1铁磁层(12)；设置在第1铁磁层(12)上的层间耦合非磁性层(10a)；以及设置在层间耦合非磁性层(10a)上的第2铁磁层(16)，层间耦合非磁性层(10a)采用包括第1非磁性层(13)、层间耦合层(14)和第2非磁性层(15)的三层构造形成。层间耦合层(14)选自至少含有Ir、Ru、Rh的金属或合金。第1非磁性层(13)、第2非磁性层(15)选自含有Pt的金属或合金。
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公开(公告)号：CN104170074B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201380015011.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/8246 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905229A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108923.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
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公开(公告)号：CN114641868A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077649.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 提供了热稳定性高的隧道结层叠膜和使用该隧道结层叠膜的磁存储元件及磁存储器。隧道结层叠膜1包括具有含有硼的第一铁磁性层24的记录层14、与记录层14邻接的隧道结层13、以及与隧道结层13邻接的参照层12，其中，第一铁磁性层24和参照层12在垂直于膜表面的方向上磁化，记录层14具有与第一铁磁性层24邻接的铪层25。
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公开(公告)号：CN104170074A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380015011.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/8246 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。
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公开(公告)号：CN103250263A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180058075.X
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社爱发科 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。
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公开(公告)号：CN1905229B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610108923.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
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