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公开(公告)号：CN101329971A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810110221.9
申请日：2008-06-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 村上元良
Abstract: 本发明涉及开关。该开关具备：壳体、固定接点和可动接点。固定接点被设入于壳体的内侧壁、并在表面具有第一金属层。可动接点被可动地收纳在壳体内、与固定接点弹性接触、在表面具有第二金属层。第一金属层、第二金属层具有光泽。
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公开(公告)号：CN100364097C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200480006233.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/22
Abstract: 本发明提供一种存储单元及其制造方法，该存储单元具有完全不同于常规存储器的存储单元的结构，并具有各种优异的特性。通过使用该存储单元还提供一种具有各种优异特性的存储器。此外，提供一种用于在该存储器中记录信息和从该存储器读取信息的方法。该存储单元包括用于保存信息的存储介质、用于在存储介质中记录信息的控制部件、以及用于从存储介质读取信息的检测元件，其中检测元件独立于存储介质而设置。更具体地说，例如，存储介质是磁性器件，控制部件包括用于给磁性器件施加磁场以便改变磁性器件的磁化状态的第一磁场产生部件，并且检测元件设置在磁性器件附近，并具有磁电转换部件，该磁电转换部件的电特性根据磁性器件的磁化状态而变化。
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公开(公告)号：CN1747021A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510088488.9
申请日：2005-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 村上元良
IPC: G11B11/10 , G11B11/105
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , Y10T428/11
Abstract: 本发明的磁记录媒体的记录再生方法，一边加热辅助、一边记录再生信息信号。其中，通过控制使磁记录媒体的信号记录再生区域的温度分布在记录时和再生不同。这样，在记录细微的标记时，也能使记录磁区稳定，不降低再生信号振幅地稳定检出，所以能够大幅度提高记录密度。在高密度记录时，可以稳定地记录微小的记录磁区，再生时可以稳定地检出再生输出信号。
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公开(公告)号：CN1241192C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02812643.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B11/105 , C23C14/34
CPC classification number: G11B11/10582 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B11/10589 , G11B11/10593 , H01J37/3405
Abstract: 一种用于本发明的光盘的薄膜沉积方法，其包括步骤(a)：把光盘基板传送至真空室；步骤(b)：把光盘基板相对目标靶放置，所述目标靶包括薄膜形成材料，目标靶被设置在真空室中，和步骤(c)：通过使用目标靶的溅射方法在光学基板上形成预定的薄膜，光盘基板被固定，在它的轴上旋转或回转。当目标靶具有a的半径并且光盘基板具有D的半径时，满足a＞2×D。利用这种构造，形成具有高密度的光盘均匀的薄膜是可能的。
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公开(公告)号：CN1520591A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02812643.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B11/105 , C23C14/34
CPC classification number: G11B11/10582 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B11/10589 , G11B11/10593 , H01J37/3405
Abstract: 一种用于本发明的光盘的薄膜沉积方法，其包括步骤(a)：把光盘基板传送至真空室；步骤(b)：把光盘基板相对目标靶放置，所述目标靶包括薄膜形成材料，目标靶被设置在真空室中，和步骤(c)：通过使用目标靶的溅射方法在光学基板上形成预定的薄膜，光盘基板被固定，在它的轴上旋转或回转。当目标靶具有a的半径并且光盘基板具有D的半径时，满足a＞2×D。利用这种构造，形成具有高密度的光盘均匀的薄膜是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497565A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100709.0
申请日：2003-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10591 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B11/10582 , G11B11/10584
Abstract: 记录层的垂直磁各向异性变得较低，这取决于记录层的组成和成膜方法。在这种情况下，难以稳定地形成微观记录磁域而且有可能不能在磁光记录中得到足够高的记录密度和转移速率。根据本发明的磁光介质包括具有多个在层压方向上延伸的柱的记录层，和放置在记录层下方并用作用于柱的核的复制层。
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公开(公告)号：CN1314032C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200310100709.0
申请日：2003-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10591 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B11/10582 , G11B11/10584
Abstract: 记录层的垂直磁各向异性变得较低，这取决于记录层的组成和成膜方法。在这种情况下，难以稳定地形成微观记录磁域而且有可能不能在磁光记录中得到足够高的记录密度和转移速率。根据本发明的磁光介质包括具有多个在层压方向上延伸的柱的记录层，和放置在记录层下方并用作用于柱的核的复制层。
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公开(公告)号：CN1922674A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005617.1
申请日：2005-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/10 , G11B5/596 , G11B5/65 , G11B5/71 , G11B5/738 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B11/105 , G11B21/10
CPC classification number: G11B11/10582 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/84 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0021
Abstract: 过去，对磁记录介质需要一张一张地记录伺服基准信号，存在着时间长和成本高的课题。本发明的磁记录介质，是在基板上具有记录层的磁记录介质的基板上或基板上形成的基底层上，至少形成一个表面粗糙度不同于其他区域的信号区域。
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公开(公告)号：CN1280808C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01137293.1
申请日：2001-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515 , G11B11/10584
Abstract: 本发明提供一种在适用磁畴放大再现方式的光磁记录媒体中利用磁畴扩大的信息的再现时能抑制来自相邻的轨道的磁影响的光磁记录媒体。该媒体形成按顺序包含第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层的多层膜，第二磁性层的居里温度TC2比第一磁性层的居里温度TC1和第三磁性层的居里温度TC3都低，第三磁性层为垂直磁化膜。在小于TC2的温度区域中的至少一部分中，第一磁性层通过与第二磁性层的交换耦合垂直磁化，通过该交换耦合，第三磁性层的磁化经第二磁性层转录到第一磁性层。第二磁性层在室温下为面内磁化膜，在比室温高的临界温度TCR与TC2之间的温度区中，为成为垂直磁化膜的磁性膜。
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公开(公告)号：CN1831186A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510022905.X
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/34 , G11B7/26 , G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10582 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B11/10589 , G11B11/10593 , H01J37/3405
Abstract: 一种制造光学记录介质的设备，包括：溅射设备，其通过在光盘基板上进行磁控管溅射而制造光学记录介质，和气体密封室，其设成与加载/卸载室接触，所述加载/卸载室把光盘基板进给到溅射设备并取出光盘基板，所述气体密封室是密封惰性气体的区域以移动光盘。
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