公开(公告)号：CN1577557A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410075126.1

申请日：1998-03-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 高桥明 ,  三枝理伸 ,  池谷直泰 ,  森豪 ,  中嶋淳策 ,  村上善照 ,  広兼顺司

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10586 ,  G11B11/10593

Abstract: 一种磁光存储介质，包括：由垂直磁化膜制成的记录层；至少在信号再现畴内成为垂直磁化状态，并与所述记录层磁耦合的再现层；和磁屏蔽层，与所述再现层分开设置，根据伴随着在所述信号再现畴的温度升高的磁化的降低来控制所述记录层和再现层之间的磁耦合。在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。

公开(公告)号：CN100338672C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410075126.1

申请日：1998-03-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 高桥明 ,  三枝理伸 ,  池谷直泰 ,  森豪 ,  中嶋淳策 ,  村上善照 ,  広兼顺司

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10586 ,  G11B11/10593

Abstract: 一种磁光存储介质，包括：由垂直磁化膜制成的记录层；至少在信号再现畴内成为垂直磁化状态，并与所述记录层磁耦合的再现层；和磁屏蔽层，与所述再现层分开设置，根据伴随着在所述信号再现畴的温度升高的磁化的降低来控制所述记录层和再现层之间的磁耦合。在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。

公开(公告)号：CN1187746C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN98109495.3

申请日：1998-03-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 高桥明 ,  三枝理伸 ,  池谷直泰 ,  森豪 ,  中嶋淳策 ,  村上善照 ,  広兼顺司

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10586 ,  G11B11/10593

Abstract: 一种磁光存储介质，包括：在室温为平面内磁化而被再现光束加热到超过预定温度时为垂直磁化的再现层；与再现层静磁耦合的记录层；和与记录层相邻设置，具有在上述预定温度的居里温度的平面内磁化层。在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。

公开(公告)号：CN1201227A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98109495.3

申请日：1998-03-06

Applicant: 夏普公司

Inventor： 高桥明 ,  三枝理伸 ,  池谷直泰 ,  森豪 ,  中嶋淳策 ,  村上善照 ,  広兼顺司

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10586 ,  G11B11/10593

Abstract: 一种磁光存储介质,包括:在室温为平面内磁化而被再现光束加热到超过预定温度时为垂直磁化的再现层;与再现层静磁耦合的记录层;和与记录层相邻设置,具有在上述预定温度的居里温度的平面内磁化层;在低于预定温度的温度,屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而,在高于预定温度的温度,在形成部分平面内磁化层的磁畴中,记录层和再现层静磁耦合,记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此,能以高信号质量再现信息。