公开(公告)号：CN106128952A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610596459.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 李秀然 ,  刘宇

IPC: H01L21/311 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/311 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供了一种改善晶圆边缘缺陷的方法以及MOS晶体管。改善晶圆边缘缺陷的方法包括：在半导体制造过程中，在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的有源区的初始第一光刻胶层，初始第一光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除初始第一光刻胶层的冗余边缘倒角区域；利用第一光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的有源区；执行形成阱区以及形成场氧化层的步骤以形成氧化层；在晶圆上涂覆用于定义MOS晶体管的沟槽区域的初始第二光刻胶层，第二光刻胶层的边缘区域定义了冗余边缘倒角区域；去除第二光刻胶层冗余边缘倒角区域，露出冗余边缘倒角区域所覆盖的所述氧化层；利用第二光刻胶层，通过光刻与刻蚀工艺定义MOS晶体管的沟槽区域。

公开(公告)号：CN102268740A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110207976.2

申请日：2011-05-31

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： F·利纳尔 ,  G·勒康 ,  F-J·弗默施

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B33/08 ,  C30B25/186 ,  C30B29/20 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明涉及织构化单晶的制造方法，包括在单晶表面上沉积金属触点，接着在所述触点上和在触点之间的单晶上沉积保护层，接着用侵蚀该金属比侵蚀该保护层更迅速的第一化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该单晶比侵蚀该保护层更迅速的第二化合物进行表面侵蚀，接着用侵蚀该保护层比侵蚀该单晶更迅速的第三化合物进行表面侵蚀。织构化基材可以用于在LED、电子部件、太阳能电池等制造范围中的GaN、AIN、Ⅲ-N化合物(即，其正离子带有3个正电荷的金属氮化物)的外延生长。

公开(公告)号：CN102245730A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980144704.3

申请日：2009-09-16

Applicant: 戴蒙得创新股份有限公司

Inventor： 蒂莫西·F·达姆 ,  吴庚贤

IPC: C09K3/14 ,  C30B33/08 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B33/08 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1445 ,  C09K3/1463 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明涉及具有不规则表面的磨粒，其中所述微粒的表面粗糙度小于约0.95。本发明还涉及用于制备改性磨粒的方法，所述方法包括提供多个磨粒；在所述微粒上提供反应性涂层；加热所述被涂覆的微粒；和回收改性磨粒。

公开(公告)号：CN100474523C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN102947493B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201180030855.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 拉尔夫·瓦格纳

IPC: C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  C30B33/08 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  C30B29/40 ,  C30B33/06 ,  C30B33/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L29/20

Abstract: 在用于从半导体单晶体（100）分离半导体层的方法中，提供具有单一晶体结构的半导体单晶体（100）。通过借助于激光（106）的照射，将在所述半导体单晶体（100）中的分离面（104）内的晶体结构局部地改性到已改变的组织结构状态。通过选择性刻蚀移除已改性的分离面（104）。

公开(公告)号：CN102575384B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201080046040.X

申请日：2010-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  下平孝直 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。

公开(公告)号：CN103952120B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410059325.7

申请日：2009-09-16

Applicant: 戴蒙得创新股份有限公司

Inventor： 蒂莫西·F·达姆 ,  吴庚贤

IPC: C09K3/14 ,  C30B33/08 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B33/08 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1445 ,  C09K3/1463 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明涉及包含具有独特形貌的磨粒的浆料。具体地，本发明涉及具有不规则表面的磨粒，其中所述微粒的表面粗糙度小于约0.95。本发明还涉及用于制备改性磨粒的方法，所述方法包括提供多个磨粒；在所述微粒上提供反应性涂层；加热所述被涂覆的微粒；和回收改性磨粒。

公开(公告)号：CN103952120A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410059325.7

申请日：2009-09-16

Applicant: 戴蒙得创新股份有限公司

Inventor： 蒂莫西·F·达姆 ,  吴庚贤

IPC: C09K3/14 ,  C30B33/08 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B33/08 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1445 ,  C09K3/1463 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明涉及包含具有独特形貌的磨粒的浆料。具体地，本发明涉及具有不规则表面的磨粒，其中所述微粒的表面粗糙度小于约0.95。本发明还涉及用于制备改性磨粒的方法，所述方法包括提供多个磨粒；在所述微粒上提供反应性涂层；加热所述被涂覆的微粒；和回收改性磨粒。

公开(公告)号：CN103560226A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310461351.8

申请日：2007-01-23

Applicant: 奈克松有限公司

Inventor： M·格林 ,  F-M·刘

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  C30B29/06 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01M4/386 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B33/08 ,  H01M4/0402 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: 一种制造硅或者基于硅的材料的纤维的方法，包括蚀刻基底上的柱并使其分离的步骤。可通过使用该纤维作为复合阳极中的活性材料而形成电池阳极。

公开(公告)号：CN102041551A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010226110.1

申请日：2010-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。