公开(公告)号：CN1985362A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。

公开(公告)号：CN100474523C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580023035.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 东洋炭素株式会社 ,  三井化学株式会社 ,  住友大阪水泥株式会社

Inventor： 田坂明政 ,  东城哲朗 ,  稻叶稔 ,  三本敦久 ,  田中正道 ,  岛卡欧利

IPC: H01L21/3065 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。