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公开(公告)号：CN115133385B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210774548.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
IPC: H01S3/067 , H01S3/1118
Abstract: 提供一种激光器用密封组件以及固体激光器。激光器用密封组件包括内密封件和外密封件，内密封件包括第一壳体、第一凸缘以及突柱，第一凸缘用于沿轴向密封地贴靠在固体激光器的激光放大腔体的外壁上；突柱具有通孔；外密封件包括第二壳体以及第二凸缘，第二壳体用于套在第一壳体上，第四开口用于供突柱穿出；第二凸缘用于沿轴向密封地贴靠内密封件的第一凸缘上并沿轴向密封地贴靠在固体激光器的激光放大腔体的外壁上，当内密封件和外密封件组装在一起时，突柱与第二壳体的第四开口形成密封，第二凸缘和第一凸缘形成密封，突柱与穿入通孔的种子源输出光纤跳线之间形成密封。由此，实现密封并提高密封性能。
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公开(公告)号：CN117463691A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311715352.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法至少适用于8英寸的蓝宝石晶片表面碳化硼研磨后且在退火前的清洗，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法包括步骤：S1，采用碱性金属清洗剂配制成的水溶液超声清洗；S2，采用去离子水超声清洗；S3，将蓝宝石晶片置于纯水中双面刷洗，刷洗过程中保持冲水；S4，采用酸溶液超声清洗；S5，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S6，采用碱溶液超声清洗；S7，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S8，采用去离子水超声清洗；S9，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S10，将蓝宝石晶片放置在自动甩干机中甩干。
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公开(公告)号：CN110453289B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910885871.9
申请日：2019-09-19
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法，属于半导体材料领域。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液，包含如下体积百分比的组分：盐酸30％～70％、双氧水0％～35％、醋酸20％～70％。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)用酒精浸泡磷化铟晶片；(2)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面；(3)将磷化铟晶片放入腐蚀液中浸泡；(4)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面，并干燥磷化铟晶片；(5)在日光灯下观察磷化铟晶片表面并标注孪晶分布。采用本发明的腐蚀液及腐蚀方法用于磷化铟表面孪晶识别，稳定性高、重复性好、腐蚀速度可控。
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公开(公告)号：CN110004308B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910382045.2
申请日：2019-05-09
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
IPC: C22B30/04
Abstract: 本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。
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公开(公告)号：CN112725901A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011582585.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，其包括步骤：S1：对CVD‑ZnSe晶片进行研磨抛光，得到CVD‑ZnSe抛光片；S2：将CVD‑ZnSe抛光片用酒精擦拭表面，然后置于热等静压炉的装料框中，在CVD‑ZnSe抛光片的上下表面分别放置隔离垫片，然后合炉；S3：对热等静压炉抽真空并通入氩气，控制热等静压炉内的热压压力为100‑200Mpa，升高炉体温度至热压温度达到500‑800℃，然后对CVD‑ZnSe抛光片热等静压；S4：热等静压完成后，将热等静压炉降至室温并泄压恢复常压；S5：CVD‑ZnSe抛光片经过热等静压处理后成为CVD‑ZnSe晶片，取出CVD‑ZnSe晶片；S6：对CVD‑ZnSe晶片研磨抛光获得无缺陷的CVD‑ZnSe晶片。本公开的消除CVD‑ZnSe缺陷的方法，有效消除了云雾缺陷，提高了CVD‑ZnSe抛光片的光学透光率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112723738A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011642926.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种Ge24TexSe(76‑x)硫系玻璃及其制备方法，所述Ge24TexSe(76‑x)中x＝50～70，方法包括步骤：装料，在手套箱内，将原料Ge、Te、Se按组分配比称量好装入准备好的容器内，添加除氧剂和除氢剂在容器的上部，原料在容器的下部；真空处理，在氮气保护下对容器进行抽真空，之后将容器的开口封口；熔制，将容器装入摇摆炉中，升温至850～960℃，摇摆使原料混合均匀，熔制和摇摆25～30h；淬冷，摇摆炉降温至500～600℃，取出容器用压缩空气进行淬冷，得到半成品；退火，将淬冷完成的容器以及硫系玻璃半成品进行退火，在温度为170～200℃下保温5～10h，保温结束缓慢均匀的降至室温，锯开容器得到Ge24TexSe(76‑x)硫系玻璃，Ge24TexSe(76‑x)硫系玻璃在8μm～18μm波长区间具有3.1～3.2的折射率和＞54％的透射率。
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公开(公告)号：CN112575379A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011450933.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种砷化铟晶体生长装置及生长方法。装置包括生长容器、坩埚盖、设有炉腔的炉体以及温控装置。生长容器包括内坩埚和外坩埚，坩埚盖用于密封外坩埚，内坩埚包括第一主体部、用于容纳籽晶的第一籽晶腔和第一肩部，第一主体部位于第一籽晶腔上方；外坩埚套设于内坩埚外并与内坩埚隔开，且外坩埚的内部轮廓与内坩埚的外部轮廓匹配；生长容器位于炉腔内，炉腔由上至下依次设有第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，温控装置设置于第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，用于加热各温区并控制其温度；沿炉腔的上下方向，第一温区高于生长容器的顶部，第五温区低于生长容器的底部，且第一籽晶腔位于第四温区。
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公开(公告)号：CN112518566A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011393186.3
申请日：2020-12-02
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种加工硫系玻璃的方法，属于红外光学领域。本发明依次对硫系玻璃进行研磨、粗抛、使用沥青模精抛和使用阻尼布精抛，其中沥青模中的沥青由质量比0～1:16的55#沥青和64#沥青组成，其软硬度与硫系玻璃的硬度匹配，能够解决因沥青模过软或过硬导致的刮盘问题，大幅度地避免产品表面被划伤，提高产品的面型精度和稳定性；采用阻尼布进行精抛，能提高产品的表面精度，在该精抛过程中使用重铬酸铵溶液，能避免硫系玻璃表面发白或去除硫系玻璃表面白雾，提高硫系玻璃的表面质量。另外，本发明步骤简单，化学品种类较少，更加安全。
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公开(公告)号：CN108642559B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810561010.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体晶体脱模装置，用于分离晶体和PBN坩埚，脱模装置包括一加热炉体、一对固定滑轨，所述加热炉体一面开设一开口，加热炉体内设置有若干加热器，所述固定滑轨包括两条导轨、连接于两条导轨之间的一固定支架、连接于两条导轨之间的一支撑平台以及连接于两条导轨之间的一底座，两条导轨自加热炉体外通过开口延伸至加热炉体内，加热炉体滑动连接在两条导轨上并能够沿着导轨滑动，支撑平台与导轨之间为滑动连接，固定支架、底座与两条导轨之间为固定连接，底座与支撑平台之间设置有一升降杆，升降杆通过伸缩来调整支撑平台与底座之间的距离。
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公开(公告)号：CN112103233A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011025214.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本公开提供了一种确定晶片掰片位置的方法，包括以下步骤：S1，设置第一晶片和模板，并在第一晶片上设置定位边，在模板上分别设置定位边和定位孔；S2，设置标示图；S3，将第一晶片放在标示图上，并在标示图做出用于后续待掰制晶片定位的定位标记；S4，将待掰制晶片待放在标示图上，利用步骤S3中的定位标记对待掰制晶片进行定位，并在待掰制晶片标示定位点；S5，将模板放在待掰制晶片上，使待掰制晶片的定位点与模板的定位孔重合，进而得到晶片掰片位置。本公开确定晶片掰片位置的方法的操作简单，且能精确地确定每片晶片的掰片位置，提高晶片产品质量。
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