公开(公告)号：CN105493240A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480031683.5

申请日：2014-07-21

Applicant: 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

Inventor： 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579

Abstract: 本发明有关微电子学领域，可通过金属-有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III-V化合物半导体材料及II-VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属-有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊晶层之方法。此技术使异质磊晶结构之质量得到改善。

公开(公告)号：CN105493240B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201480031683.5

申请日：2014-07-21

Applicant: 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

Inventor： 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579

Abstract: 本发明有关微电子学领域，可通过金属‑有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III‑V化合物半导体材料及II‑VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属‑有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊晶层之方法。此技术使异质磊晶结构之质量得到改善。