公开(公告)号：CN104205292A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016899.X

申请日：2013-03-29

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02016 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

Abstract: 一种形成无支撑的半导体晶片的方法，包括：提供包括半导体层的半导体衬底，所述半导体层具有后表面和与后表面相对的上表面，其中半导体层包括在上表面与后表面之间的至少一个持久缺陷；从半导体层移除半导体层的后表面的一部分和持久缺陷；以及在移除后表面的一部分和持久缺陷之后形成上表面的一部分。

公开(公告)号：CN103959439A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280056740.6

申请日：2012-11-19

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种形成半导体衬底的方法，其包括在生长过程中在生长衬底上形成13-15族材料的基层，在生长过程中形成覆盖在基层上的具有遮罩区域和缺口区域的掩模，以及在生长过程中有选择地移除在掩模下面的基层的一部分。

公开(公告)号：CN104603911A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046300.7

申请日：2013-09-05

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种形成半导体衬底的方法包括提供包含半导体材料的基衬底，以及通过氢化物气相外延(HVPE)形成第一半导体层覆盖在具有13-15族材料的基衬底上，其中第一半导体层包含具有N面取向的上表面。

公开(公告)号：CN101336314B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200680051917.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： B·博蒙 ,  J-P·福里 ,  P·吉巴特

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 对侧向外延生长技术做一些新的改变就可以获得高质量的独自的GaN，其中3D岛或特征采用改变生长参数来获得。通过设置生长条件加强侧向生长从而获得平坦的岛(2D生长)。3D-2D生长的循环将导致穿透位错的多次弯曲，从而得到厚层或穿透位错密度低于106cm-2的独立的GaN。

公开(公告)号：CN103975417B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280054405.2

申请日：2012-11-09

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4482 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403

Abstract: 一种用于半导体晶体材料形成的系统，包括被配置为包含液体金属的第一室以及与第一室流体通联的第二室，第二室具有大于第一储液器室容量的容量。本系统还包括连接至第一室的蒸汽输送导管，此蒸汽输送导管被配置为将气相反应材料输送至第一室以与液体金属反应并形成金属卤化物气相产物。

公开(公告)号：CN103959439B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201280056740.6

申请日：2012-11-19

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种形成半导体衬底的方法，其包括在生长过程中在生长衬底上形成13‑15族材料的基层，在生长过程中形成覆盖在基层上的具有遮罩区域和缺口区域的掩模，以及在生长过程中有选择地移除在掩模下面的基层的一部分。

公开(公告)号：CN104903993B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380068804.9

申请日：2013-12-31

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01S5/3013 ,  Y10T428/26

Abstract: 衬底包括具有上表面的III‑V族材料和缓冲层，所述缓冲层具有不大于约1.3μm的厚度并且覆盖在衬底的上表面上。多个光电子器件形成于衬底上，并且在约400nm到约550nm之间的范围内的波长具有不大于约0.0641nm/cm2的归一化的光发射波长标准偏差。

公开(公告)号：CN103748662A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280032113.9

申请日：2012-06-28

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02005 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在连续生长工艺期间，通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。该方法还包括从衬底分离多个半导电层。

公开(公告)号：CN104603911B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380046300.7

申请日：2013-09-05

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种形成半导体衬底的方法包括提供包含半导体材料的基衬底，以及通过氢化物气相外延(HVPE)形成第一半导体层覆盖在具有13-15族材料的基衬底上，其中第一半导体层包含具有N面取向的上表面。

公开(公告)号：CN104903993A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068804.9

申请日：2013-12-31

Applicant: 圣戈班晶体及检测公司

Inventor： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01S5/3013 ,  Y10T428/26

Abstract: 衬底包括具有上表面的III-V族材料和缓冲层，所述缓冲层具有不大于约1.3μm的厚度并且覆盖在衬底的上表面上。多个光电子器件形成于衬底上，并且在约400nm到约550nm之间的范围内的波长具有不大于约0.0641nm/cm2的归一化的光发射波长标准偏差。