公开(公告)号：CN119654211A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380053998.9

申请日：2023-10-06

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 佐藤雄二 ,  竹中启辅 ,  牧野岛和贵 ,  冢本雅裕 ,  小林幸司 ,  小山内英世

IPC: B23K26/342 ,  C23C24/10 ,  C23C26/00 ,  C23C26/02

Abstract: 使金属的层以细线形状直接接合于陶瓷基材的表面。陶瓷‑金属接合体的制造方法，其中，一边用激光束扫描陶瓷基材表面一边进行照射，同时向所述陶瓷基材的表面上的照射激光束的区域(以下称为“照射区域”。)给送固体金属材料，使给送中的所述金属材料也成为被激光束照射的状态，一边将位于所述照射区域的陶瓷基材表面加热一边使所述金属材料熔融，使熔融的金属材料覆盖陶瓷基材表面后使其凝固。

公开(公告)号：CN111448026A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079862.4

申请日：2018-12-03

Applicant: 同和控股(集团)有限公司 ,  顾德系统有限公司

Inventor： 青山智胤 ,  成枝宏人 ,  金逸镐 ,  曹明焕

IPC: B23K20/00 ,  H01L23/36 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04

Abstract: 提供一种包层材料及其制造方法，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层(12)的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜(10a)的Mo-Cu层(10)，以使该金属膜(10a)与其抵接，然后一边在Cu-石墨层(12)和Mo-Cu层(10)之间施加压力一边加热。

公开(公告)号：CN104995772B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480009070.1

申请日：2014-03-24

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 下位法弘 ,  田路和幸 ,  田中泰光 ,  张其武 ,  甲斐博之

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01B33/113 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 作为锂离子二次电池用负极活性物质，使用具有高的理论容量的硅系物质,作为负极活性物质时,得到初期的电池容量高,并且,即使反复进行多次循环的充放电,性能劣化仍少的负极活性物质。另外,提供采用该负极活性物质的锂离子二次电池。把硅与氧化铜(2)、或硅、金属铜及水采用粉碎装置,通过在粉碎处理的同时进行混合处理,能够得到循环特性良好,并且具有大的电池容量的负极活性物质。

公开(公告)号：CN105144438B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201480022383.0

申请日：2014-05-06

Applicant: 同和控股(集团)有限公司

Inventor： 田上幸治 ,  相木良明

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01M10/0562 ,  C01B25/45 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0071

Abstract: 本发明提供固体电解质被覆正极活性物质粉末，该锂离子二次电池用正极活性物质的最外层表面附近存在的过渡金属量非常低。包含在由Li与过渡金属M的复合氧化物构成的锂离子二次电池用正极活性物质的粒子表面具有Li1+XAlXTi2‑X(PO4)3、式中0≤X≤0.5表示的固体电解质的被覆层的粒子，以XPS在深度方向分析，从该被覆层的最外层表面至蚀刻深度1nm的Al、Ti、P的总原子数占Al、Ti、M、P的总原子数的平均比例在50％以上。上述过渡金属M，例如为Co、Ni、Mn的1种以上。

公开(公告)号：CN105493318A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047231.6

申请日：2014-07-18

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 内山贵之 ,  三木成章 ,  相木良明 ,  田上幸治

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 提供可降低电阻的活性物质复合粉体及其制造方法。活性物质复合粉体，其具有活性物质和附着于该活性物质表面的铌酸锂，且BET比表面积S[m2/g]为0.93＜S＜1.44；活性物质复合粉体的制造方法，其具有喷雾干燥工序，其中向活性物质喷雾含有铌的过氧化络合物和锂的溶液并与此并行地干燥所述溶液；和热处理工序，其中在该喷雾干燥工序之后进行热处理；热处理的温度为高于123℃且低于350℃。

公开(公告)号：CN105470457A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510818937.4

申请日：2011-09-21

Applicant: 同和控股(集团)有限公司

Inventor： 永富晶

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  C01G33/00 ,  C01G51/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  B82Y30/00 ,  C01G33/00 ,  C01G51/42 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明涉及锂-过渡金属氧化物粉体的制造方法。提供一种锂-过渡金属氧化物粉体的制造方法，其特征在于，所述锂-过渡金属氧化物粉体由表面的一部分或全部被含有铌酸锂的被覆层被覆的锂-过渡金属氧化物颗粒形成，所述制造方法包括下述工序：得到混合物的工序，将含有铌酸络合物和锂化合物的水溶液、与锂-过渡金属氧化物粉体混合而得到混合物；和得到粉体的工序，去除该混合物的水分，得到在锂-过渡金属氧化物粉体表面覆盖有铌酸络合物和锂化合物的粉体；和热处理工序，将该粉体在300℃以上且700℃以下进行热处理。

公开(公告)号：CN105405744A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510725230.9

申请日：2010-12-07

Applicant: 同和控股(集团)有限公司

Inventor： 石川雄一 ,  田上幸治 ,  藤野刚聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/00 ,  C01G3/00 ,  C01G15/00

CPC classification number: C01G15/006 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01G3/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本申请涉及硫属化合物粉和硫属化合物糊剂以及它们的制造方法。在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但其电阻值高，在太阳能电池用途等中无法得到令人满意的特性。将铜盐和铟盐的混合物、或铜和铟的复合氢氧化物、或铜和铟的复合氧化物中的任意一种以上、与硒或硒化合物、沸点为250℃以下的溶剂混合，生成混合溶剂，并以220℃～500℃的温度加热，得到含有Cu-In-Ga-Se、且平均粒径(DSEM)为80nm以下的低碳量的硫属化合物粉。利用硫属化合物粉的糊剂，得到含有Cu-In-Ga-Se且低电阻的薄膜。

公开(公告)号：CN102634849B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210044351.3

申请日：2006-03-31

Applicant: 东北技术使者株式会社 ,  古河机械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  同和控股(集团)有限公司 ,  株式会社EpiValley ,  伟方亮有限公司

Inventor： 八百隆文 ,  曺明焕

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

公开(公告)号：CN104995772A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480009070.1

申请日：2014-03-24

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 下位法弘 ,  田路和幸 ,  田中泰光 ,  张其武 ,  甲斐博之

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01B33/113 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 作为锂离子二次电池用负极活性物质，使用具有高的理论容量的硅系物质,作为负极活性物质时,得到初期的电池容量高,并且,即使反复进行多次循环的充放电,性能劣化仍少的负极活性物质。另外,提供采用该负极活性物质的锂离子二次电池。把硅与氧化铜(2)、或硅、金属铜及水采用粉碎装置,通过在粉碎处理的同时进行混合处理,能够得到循环特性良好,并且具有大的电池容量的负极活性物质。

公开(公告)号：CN104584178A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380045316.6

申请日：2013-08-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 下位法弘 ,  田路和幸 ,  田中泰光 ,  甲斐博之

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612

Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。