公开(公告)号：CN102036907A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118616.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： F·拉尔默 ,  K·特费伦 ,  C·莱嫩巴赫

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81C1/00888 ,  B81C2201/017 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明涉及一种用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，它具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(7)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从一种结晶状态至少部分地转变为非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。在一种实施形式中同时用蚀刻蚀刻分离沟(6)和洞穴(2)。可通过RIF滞后效应对蚀刻深度进行控制。

公开(公告)号：CN102036907B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN200980118616.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： F·拉尔默 ,  K·特费伦 ,  C·莱嫩巴赫

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81C1/00888 ,  B81C2201/017 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明涉及一种用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，它具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(7)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从一种结晶状态至少部分地转变为非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。在一种实施形式中同时用蚀刻蚀刻分离沟(6)和洞穴(2)。可通过RIF滞后效应对蚀刻深度进行控制。