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公开(公告)号：CN101826473A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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公开(公告)号：CN1988767B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610169049.5
申请日：2006-12-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L23/49816 , H01G2/065 , H01L23/49838 , H01L24/81 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/13019 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/81024 , H01L2224/81192 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H05K3/3442 , H05K3/3457 , H05K3/3489 , H05K2201/0373 , H05K2201/10636 , H05K2203/0278 , H05K2203/043 , H05K2203/0485 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以防止安装芯片部件时的错位的芯片部件的安装方法。首先，使附着在电路板(1)的接合端子(21)上的焊锡附着物(33)平坦化。并且，在焊锡附着物(33)的平坦化的同时，或者，在焊锡附着物(33)的平坦化之后，在焊锡附着物(33)的表面形成凹槽(41、43)。接着，在焊锡附着物(33)上涂敷助熔剂(37)。然后，将芯片部件(5)以隔着助熔剂(37)装载在焊锡附着物(33)上的形态配置。
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公开(公告)号：CN1988767A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169049.5
申请日：2006-12-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L23/49816 , H01G2/065 , H01L23/49838 , H01L24/81 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/13019 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/81024 , H01L2224/81192 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H05K3/3442 , H05K3/3457 , H05K3/3489 , H05K2201/0373 , H05K2201/10636 , H05K2203/0278 , H05K2203/043 , H05K2203/0485 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以防止安装芯片部件时的错位的芯片部件的安装方法。首先，使附着在电路板(1)的接合端子(21)上的焊锡附着物(33)平坦化。并且，在焊锡附着物(33)的平坦化的同时，或者，在焊锡附着物(33)的平坦化之后，在焊锡附着物(33)的表面形成凹槽(41、43)。接着，在焊锡附着物(33)上涂敷助熔剂(37)。然后，将芯片部件(5)以隔着助熔剂(37)装载在焊锡附着物(33)上的形态配置。
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公开(公告)号：CN100513355C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610142324.4
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/493 , H01L41/187 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 为了防止在内部电极中使用Cu时压电变形特性下降，本发明提供一种压电陶瓷组合物，其特征在于，将以(Pba-bMeb)[(Zn1/3Nb2/3)xTiyZrz]O3(其中，0.96≤a≤1.03，0≤b≤0.1，0.05≤x≤0.15，0.25≤y≤0.5，0.35≤z≤0.6，x+y+z＝1。另外，式中的Me表示选自Sr、Ca和Ba中的至少一种。)表示的复合氧化物作为主成分，并且相对于主成分，含有以氧化物换算计为0.5质量%以下(其中，不包含0。)的选自Co、Mg、Ni、Cr和Ga中的至少一种作为第1副成分，并设置由Cu构成的电极。
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公开(公告)号：CN1944335A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142324.4
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/493 , H01L41/187 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 为了防止在内部电极中使用Cu时压电变形特性下降，本发明提供一种压电陶瓷组合物，其特征在于，将以(Pba－bMeb) [(Zn1/3Nb2/3x)TiyZrz]O3(其中，0.96≤a≤1.03，0≤b≤0.1，0.05≤x≤0.15，0.25≤y≤0.5，0.35≤z≤0.6，x+y+z＝1。另外，式中的Me表示选自Sr、Ca和Ba中的至少一种。)表示的复合氧化物作为主成分，并且相对于主成分，含有以氧化物换算计为0.5质量％以下(其中，不包含0。)的选自Co、Mg、Ni、Cr和Ga中的至少一种作为第1副成分，并设置由Cu构成的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1464863A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802406.0
申请日：2002-07-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C01G1/00 , C01G23/00 , H01B3/00 , C08L101/00 , H05K1/03
CPC classification number: C01B13/145 , B82Y30/00 , C01G1/02 , C01G23/006 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62665 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , H01B3/10 , H05K1/0373
Abstract: 提供一种球状氧化物粉末的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：由氧化物组合物构成的颗粒粉末与载气一起供给至燃烧火焰内的供给步骤；将供给的颗粒粉末在燃烧火焰内熔融来得到熔融处理物的熔融步骤和熔融处理物通过向燃烧火焰外移动而凝固的凝固步骤。
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公开(公告)号：CN101826473B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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公开(公告)号：CN100467383C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN02802406.0
申请日：2002-07-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C01G1/00 , C01G23/00 , H01B3/00 , C08L101/00 , H05K1/03
CPC classification number: C01B13/145 , B82Y30/00 , C01G1/02 , C01G23/006 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62665 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , H01B3/10 , H05K1/0373
Abstract: 本发明提供一种球状氧化物粉末的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：由氧化物组合物构成且通过喷雾造粒法得到的颗粒粉末与载气一起供给至燃烧火焰内的供给步骤；将供给的所述颗粒粉末在燃烧火焰内熔融来得到熔融处理物的熔融步骤和熔融处理物通过向燃烧火焰外移动而凝固的凝固步骤。本发明还提供一种球状粉末制造装置，其特征在于，具有：发生燃烧火焰的燃烧器、向所述燃烧火焰供给被处理物的被处理物供给装置、具有由所述燃烧火焰加热处理的所述被处理物以浮游状态通过的被处理物通过区域的处理腔和加热被处理物通过区域的加热装置，其中所述加热装置具备多个加热部，所述多个加热部设定成朝着被处理物的通过方向温度降低的各不相同的温度。
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公开(公告)号：CN1016295B
公开(公告)日：1992-04-15
申请号：CN89104911.8
申请日：1989-07-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C04B35/472
Abstract: 本文介绍一种半导电陶瓷组合物，它能使其电阻-温度特征和电阻按要求受控，并使该组合物的焙烧温度降至足以便于以低成本成批生产的程度。该组合物包括由SrO、PbO和TiO2组成的主要成分，在氧气氛中焙烧。该组合物可包括SiO2和M中至少一种作为次要成份。主要和次要成分的量的变化可使组合物的特征和性能按要求改变。
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公开(公告)号：CN1039497A
公开(公告)日：1990-02-07
申请号：CN89104911.8
申请日：1989-07-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C04B35/472
Abstract: 本文介绍一种半导电陶瓷组合物，它能使其电阻-温度特征和电阻按要求受控，并使该组合物的点燃温度降至足以便于以低成本成批生产的程度。该组合物包括由SrO、PbO和TiO2组成的主要成分，在氧化气氛中点燃。该组合物可包括SiO2和M中至少一种作为次要成分。主要和次要成分的量的变化可使组合物的特征和性能按要求改变。
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