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公开(公告)号：CN1974472B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610160562.8
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1781190A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011316.5
申请日：2004-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , C01G29/006 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/6585 , C04B2235/787 , H01G4/30 , H01L28/55 , Y10S438/957
Abstract: 一种电介质薄膜(8)，具有第1铋层状化合物层(8a)，该第1铋层状化合物层(8a)用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或者Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的记号m为正数，记号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi的至少1种元素，记号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。在该第1铋层状化合物层(8a)和下部电极(6)之间形成有比第1铋层状化合物层(8a)的组成式过剩地含有铋的第2铋层状化合物层(8b)。
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公开(公告)号：CN1768166A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008681.0
申请日：2004-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F41/28 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , H01F10/24
Abstract: 用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层(11b)，其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
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公开(公告)号：CN1578991A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821471.4
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1547627A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816498.9
申请日：2002-06-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1754261A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005376.6
申请日：2004-02-20
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 坂下幸雄
CPC classification number: H01G4/1218 , C01G29/006 , C01P2002/02 , C01P2002/04 , C01P2002/50 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/787 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 根据本发明的薄膜电容元件包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－表示的组分的铋层结构的化合物，这里符号m是正整数，符号A是从如下元素组中选择的至少一种元素：钠、钾、铅、钡、锶、钙和铋，符号B是从如下元素组中选择的至少一种元素：铁、钴、铬、镓、钛、铌、钽、锑、钒、钼和钨。具有上述构造的薄膜电容元件可以被形成得较薄且具有良好的温度补偿特性。
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公开(公告)号：CN1742121A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002533.8
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , C01G29/00 , C01P2002/20 , C01P2002/52 , C01P2002/77 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B35/64 , C04B2235/3224 , C04B2235/441 , C04B2235/6585 , C04B2235/661 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
Abstract: c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3表示，所述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.6×m摩尔的范围内。
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公开(公告)号：CN1974472A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160562.8
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1768403A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200380110280.1
申请日：2003-11-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/20 , H01G4/12 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/1218 , H01G4/20 , H01L21/31691
Abstract: 本发明涉及铋层状化合物，该铋层状化合物以任意的混合比含有第1铋层状化合物和第2铋层状化合物，其中第1铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数也上升的正温度特性；第2铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数降低的负温度特性。具体来说，涉及以组成式CaxSr(1－x)Bi4Ti4O15表示的铋层状化合物。
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公开(公告)号：CN1768167A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008878.4
申请日：2004-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B23/025 , C30B29/28
Abstract: 一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
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