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公开(公告)号：CN1578991A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821471.4
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1974472B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610160562.8
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1974472A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160562.8
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1768403A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200380110280.1
申请日：2003-11-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/20 , H01G4/12 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/1218 , H01G4/20 , H01L21/31691
Abstract: 本发明涉及铋层状化合物，该铋层状化合物以任意的混合比含有第1铋层状化合物和第2铋层状化合物，其中第1铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数也上升的正温度特性；第2铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数降低的负温度特性。具体来说，涉及以组成式CaxSr(1－x)Bi4Ti4O15表示的铋层状化合物。
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公开(公告)号：CN100431066C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN02821456.0
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/3251 , C04B2235/787 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/30 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成了下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Aa-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。即使减薄也具有比较高的电容率并且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，电容率的温度特性优良，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1295710C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02821471.4
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1578994A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821456.0
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/3251 , C04B2235/787 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/30 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成了下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。即使减薄也具有比较高的电容率并且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，电容率的温度特性优良，表面平滑性也优良。
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