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公开(公告)号：CN101405873B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200780009938.8
申请日：2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等以创造巨大的经济价值。
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公开(公告)号：CN102074598A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010539236.4
申请日：2010-09-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/042 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：基板，其包括由绝缘区分隔开的电流产生区和边缘区；以及多个太阳能电池，其位于所述电流产生区中。所述多个太阳能电池中的每一个都包括：位于所述基板上的透明电极；位于所述透明电极上的硅电流产生层；以及位于所述硅电流产生层上的背电极。一个太阳能电池的背电极电连接到与所述一个太阳能电池相邻的另一个太阳能电池的所述透明电极。与所述绝缘区相邻的最外侧太阳能电池的透明电极的侧面被所述最外侧太阳能电池的硅电流产生层的在所述绝缘区中暴露的侧面部分所覆盖。
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公开(公告)号：CN101821857A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111068.X
申请日：2008-12-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0745 , H01L31/022425 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。
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公开(公告)号：CN102197495A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143034.3
申请日：2009-11-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03762 , C25D7/126 , H01L31/02008 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , H01L31/20 , H01L31/202 , H05K3/188 , H05K3/246 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。
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公开(公告)号：CN101405873A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009938.8
申请日：2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等，以创造巨大的经济价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101933159B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200980104034.2
申请日：2009-02-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。
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公开(公告)号：CN102037568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118599.6
申请日：2009-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102473776A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034233.3
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/03762 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。
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公开(公告)号：CN102138224A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002434.5
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。
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公开(公告)号：CN101933159A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980104034.2
申请日：2009-02-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。
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