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公开(公告)号:CN104810414B
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201510023406.6
申请日:2015-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括:在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上,形成非晶硅层;执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程,以形成发射极区;执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中,以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时,所述非晶硅层结晶,以形成硅层。
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公开(公告)号:CN101405873B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200780009938.8
申请日:2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括:由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块;以及旁路太阳能电池模块,其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明,可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护,并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等以创造巨大的经济价值。
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公开(公告)号:CN108155181B
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN201710670180.8
申请日:2017-08-08
Applicant: LG电子株式会社
Inventor: 安世源
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/078 , H01L31/0725 , H01L31/0236 , H01L31/0687 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 叠层太阳能电池及其制造方法。本发明涉及一种叠层太阳能电池以及一种制造该叠层太阳能电池的方法,并且更具体地,涉及一种具有堆叠在硅太阳能电池上并且接合至该硅太阳能电池的钙钛矿太阳能电池的叠层太阳能电池以及一种制造该叠层太阳能电池的方法。根据本发明,通过使用同质结硅太阳能电池具体实现的叠层太阳能电池被设置有第一钝化图案,使得发射体层在该第一钝化图案下方的一部分被暴露,从而在用于形成第二电极的高温烧制期间通过该第一钝化图案来保护所述发射体层,减少所述发射体层的表面缺陷,并且减少所述钙钛矿太阳能电池的特性劣化的问题。
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公开(公告)号:CN102341919B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201080010764.9
申请日:2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/028 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/076
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。
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公开(公告)号:CN102593193A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110208265.7
申请日:2011-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池包括设置于衬底上的多个电池。该多个电池中的每一个都包括第一电极,其设置于衬底的一个表面上;至少一个光电转换单元,其设置于第一电极上;背反射层,其包括第一反射层,该第一反射层接触至少一个光电转换单元以及第二反射层,其具有暴露第一反射层的一部分的开口;以及第二电极,其设置在背反射层上。第二反射层接触第一反射层。第二电极通过开口电连接至第一反射层。
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公开(公告)号:CN102197495A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200980143034.3
申请日:2009-11-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03762 , C25D7/126 , H01L31/02008 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , H01L31/20 , H01L31/202 , H05K3/188 , H05K3/246 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括:基板;位于该基板上的至少一个发射极层;电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极;以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。
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公开(公告)号:CN101405873A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200780009938.8
申请日:2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括:由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块;以及旁路太阳能电池模块,其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明,可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护,并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等,以创造巨大的经济价值。
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公开(公告)号:CN115698684A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202080101576.0
申请日:2020-06-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G01N21/95 , G01N21/552 , G01N21/41 , G03B3/10
Abstract: 公开了一种薄膜特性测量设备,其用于测量待被检查物体的薄膜的厚度或宽度。薄膜特性测量设备包括光源、第一反射镜、第一致动器和透镜组件。透镜组件形成为使得由光轴和透射穿过透镜组件的光线的主光线形成的角度小于或等于由光轴和入射到透镜组件的光线的主光线形成的角度。光源可以包括超发光二极管(SLD)。提供了薄膜特性测量设备、方法等,该薄膜特性测量设备使得透射穿过透镜组件的光能够在待被检查物体的入射表面上往复运动,同时第一反射镜在预定角度范围内反复地倾斜,并且因此可以准确地测量相对大的区域以及可以不同地控制待被测量的位置。
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公开(公告)号:CN111886706A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201980018615.8
申请日:2019-03-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0376
Abstract: 根据涉及使用用于蚀刻晶体硅基板的方法的串联太阳能电池制造方法的本发明,可以获得这样的太阳能电池,其在基板表面上不具有金字塔形缺陷,通过具有优异表面粗糙度性质的基板抑制分流的产生,并且可以确保填充因子特性,通过串联式太阳能电池制造方法可获得太阳能电池,所述方法包括:制备晶体硅基板;各向同性地蚀刻所述基板;通过对经各向同性蚀刻的基板进行各向异性蚀刻而去除基板表面上的锯损伤;将第二太阳能电池定位在去除锯损伤的基板上;将中间层定位在第二太阳能电池上;将第一太阳能电池定位在中间层上。
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公开(公告)号:CN102341919A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201080010764.9
申请日:2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。
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