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公开(公告)号：CN104518065B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410524737.3
申请日：2014-10-08
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明设备，所述发光器件包括：衬底；光提取层，布置在衬底上，该光提取层具有的折射率高于衬底的折射率并低于发光结构的折射率，并且包括接触衬底的第一区域和与第一区域相向布置的第二区域，第一区域具有比第二区域的横截面积大的横截面积；以及发光结构，布置在衬底和光提取层上，该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层。本发明的发光器件具有较高的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109328399A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780036051.1
申请日：2017-06-09
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层并且还包括从第二导电半导体层穿过有源层延伸到第一导电半导体层的第一凹槽和第二凹槽；第一电极，与第一凹槽中的第一导电半导体层接触；第二电极，与第二导电半导体层接触；以及反射层，形成在第二凹槽中，其中第二凹槽具有设置在第二导电半导体层的下侧的开口的下部、设置在第一导电半导体层上的上部以及从下部延伸到上部的侧部，并且反射层包括布置在第二凹槽的内部的反射部以及从第二凹槽的下部延伸并接触第二电极的延伸部。
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公开(公告)号：CN104300062B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201410344553.9
申请日：2014-07-18
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。
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公开(公告)号：CN110199398B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201880007864.2
申请日：2018-01-19
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层
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公开(公告)号：CN110199398A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007864.2
申请日：2018-01-19
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427941A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810982674.4
申请日：2018-08-27
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一绝缘层，设置在半导体结构上；第一电极，通过第一绝缘层的第一孔设置在第一导电半导体层上；第二电极，通过第一绝缘层的第二孔设置在第二导电半导体层上；第一盖电极，设置在第一电极上；第二盖电极，设置在第二电极上，其中第二盖电极包括多个焊盘，连接部分用于连接多个焊盘，连接部分的宽度在相邻焊盘之间的中心位置最小，第二盖电极和第一盖电极之间的面积比在1：1.1至1：1.5的范围内。
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公开(公告)号：CN109417111A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038448.4
申请日：2017-06-20
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
Abstract: 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，以及穿过第二导电半导体层和有源层并设置为延伸到第一导电半导体层的一部分的多个凹槽；设置在多个凹槽内并与第一导电半导体层电连接的多个第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中，多个第一电极和第一导电半导体层接触的第一面积与第二电极和第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。
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公开(公告)号：CN104518064B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201410512828.5
申请日：2014-09-29
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光器件和具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上。所述下折射层包括在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率的第一下折射层；以及在所述第一下折射层的外表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二下折射层，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末。本发明的发光器件可以提高外部量子效率。
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公开(公告)号：CN108780828A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015428.5
申请日：2017-01-04
Applicant: LG伊诺特有限公司
Inventor： 成演准
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一个实施例包括：半导体衬底；图案层，设置在所述半导体衬底上并且包括彼此分离的多个图案；氮化物半导体层，设置在所述图案层上；以及半导体结构，设置在所述氮化物半导体层上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中所述图案层的热导率高于所述半导体衬底的热导率和所述半导体结构的热导率。
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公开(公告)号：CN108352427A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062147.0
申请日：2016-07-29
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405
Abstract: 实施例提供了一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层；多个导体层，选择性地设置在所述第二导电半导体层上；以及反射电极，设置在导体层和第二导电半导体层上。
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