-
公开(公告)号：CN106025034A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610183343.5
申请日：2016-03-28
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 公开了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。
-
公开(公告)号：CN109791960A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780056302.2
申请日：2017-09-13
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：1.25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。
-
公开(公告)号：CN104518064B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201410512828.5
申请日：2014-09-29
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光器件和具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上。所述下折射层包括在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率的第一下折射层；以及在所述第一下折射层的外表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二下折射层，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末。本发明的发光器件可以提高外部量子效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431108B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201680018542.9
申请日：2016-03-16
Applicant: LG 伊诺特有限公司
Abstract: 在实施例中，一种发光器件包括：基板；置放在基板上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；分别地连接到第一和第二导电半导体层的第一和第二电极；分别地连接到第一和第二电极的第一和第二结合焊盘；以及置放在第一结合焊盘和第二电极之间以及在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层。第一电极的第一厚度可以是置放在第二结合焊盘和第一电极之间的绝缘层的第二厚度的1/3或者更小。
-
公开(公告)号：CN104518064A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410512828.5
申请日：2014-09-29
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种发光器件和具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上。所述下折射层包括在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率的第一下折射层；以及在所述第一下折射层的外表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二下折射层，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末。本发明的发光器件可以提高外部量子效率。
-
公开(公告)号：CN106025034B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610183343.5
申请日：2016-03-28
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 公开了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。
-
公开(公告)号：CN105932134B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201610109347.9
申请日：2016-02-26
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 公开了一种发光器件封装和照明设备。所述发光器件封装包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底的下方并且包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，被连接至通过至少一个接触孔暴露的所述第一导电型半导体层；第二电极，被连接至所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，被布置为从所述发光结构的下方延伸至在所述发光结构的一侧与所述第一电极之间的空间并且被配置为反射光；以及反射层，布置在所述第一绝缘层的下方。
-
公开(公告)号：CN105932134A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610109347.9
申请日：2016-02-26
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 公开了一种发光器件封装和照明设备。所述发光器件封装包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底的下方并且包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，被连接至通过至少一个接触孔暴露的所述第一导电型半导体层；第二电极，被连接至所述第二导电型半导体层；第一绝缘层，被布置为从所述发光结构的下方延伸至在所述发光结构的一侧与所述第一电极之间的空间并且被配置为反射光；以及反射层，布置在所述第一绝缘层的下方。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.02 seconds)
