公开(公告)号：CN1269752C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN00120967.1

申请日：2000-08-02

Applicant: HOYA株式会社 ,  美国保谷公司

Inventor： 罗伯特·W·约翰逊 ,  柳田裕昭 ,  桥本和明

IPC: C03C3/062 ,  C03C3/076 ,  C03C3/078 ,  C03C3/095 ,  G02B5/20

CPC classification number: G02B5/285 ,  C03C3/078 ,  C03C3/083 ,  G02B5/288 ,  G02B6/29367 ,  G02B6/2938 ,  G02B7/008

Abstract: 一种玻璃基质用作WDM滤光器，滤光器是在玻璃基质上有一种光学多层膜，玻璃的成分与光学多层膜有关，需保证滤光器能稳定地进行光波长多路组合/多路分离操作。该玻璃含有SiO2作为玻璃网络形成物并在-30℃至+70℃的温度范围内具有平均线性热膨胀系数为100×10-7/K至130×10-7/K。除SiO2之外，该玻璃还可含有TiO2、Al2O3和R2O(R＝碱金属元素)并且有硬度适用于光学多层膜。

公开(公告)号：CN1791986A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013285.7

申请日：2004-04-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  折田政宽 ,  柳田裕昭 ,  小林哲

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01S5/3018 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种发光二极管，不产生由掺杂物引起的晶体的畸变、缺陷，发光效率高、没有不必要的波长的发光，并能大范围地选择发光波长。将不添加掺杂物的双极性半导体作为发光层，并使作为电子注入用电极的n电极和作为空穴注入用电极的p电极与其接合而制作发光二极管。

公开(公告)号：CN100485977C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200480013285.7

申请日：2004-04-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  折田政宽 ,  柳田裕昭 ,  小林哲

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01S5/3018 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种发光二极管，不产生由掺杂物引起的晶体的畸变、缺陷，发光效率高、没有不必要的波长的发光，并能大范围地选择发光波长。将不添加掺杂物的双极性半导体作为发光层，并使作为电子注入用电极的n电极和作为空穴注入用电极的p电极与其接合而制作发光二极管。

公开(公告)号：CN100382338C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN03805476.0

申请日：2003-02-18

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  小林哲 ,  谷由纪 ,  柳田裕昭

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管类型发光器件，该器件能够获得长期使用的可靠性，并且使光发射波长的选择性变宽。该申请的发明是一种场效应晶体管类型发光器件，该器件具有电子注入电极(即源极)、空穴注入电极(即漏极)、设置在源极和漏极之间以便与这两个电极接触的发射有源部件、以及场应用电极(即栅极)，所述栅极用于在发射有源部件中感生电子和空穴，其经由绝缘部件或者绝缘间隙设置在发射有源部件附近。所述发射有源部件由既具有电子转移特性又具有空穴转移特性的无机半导体材料制成。

公开(公告)号：CN1931755A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610111058.9

申请日：2002-10-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 春日善子 ,  立和名一雄 ,  柳田裕昭

IPC: C03B5/235 ,  C03B25/00 ,  C03B11/00

CPC classification number: C03C3/062 ,  Y10S501/901

Abstract: 本发明的课题是一种光学玻璃，以重量％表示，含SiO2在18％以上、30％以下，含BaO在12％以上、23％以下，含TiO2为22～37％，含Nb2O5在7％以上、16％以下，含Na2O为5～20％，含K2O为0～6％，含CaO为0～5％，含SrO为0～5％，含ZrO2为0～4％，含Ta2O5为0～3％，含Sb2O5为0～1％，以及含P2O5在0％以上、0.5％以下，并且实质上不含PbO、As2O3和F。其折射率(nd)在1.80以上，阿贝数(νd)在30以下，析出的晶粒的数目密度在12个/mm3以下。采用对上述成形用玻璃材料加热、软化并且模压成形的玻璃模压成形品的制造方法，即使用通过再加热模压成形容易失透的玻璃，也可制造透明的高品质的模压成形品。

公开(公告)号：CN1910763A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580003074.X

申请日：2005-01-20

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折田政宽 ,  川副博司 ,  小林哲 ,  柳田裕昭 ,  新见盛广 ,  谷由纪 ,  初田美砂纪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00

Abstract: 不用外延生长方法而得到具有实用的发光特性的发光元件。本发明的量子点分散发光元件具有基板(11)、电子注入用电极(12)、空穴注入用电极(14)和配置成与上述两电极接触的无机发光层(13)；其是如下所述构成的：上述无机发光层(13)含有双极性无机半导体材料和作为发光中心而分散于上述双极性无机半导体材料中的纳米晶体(15)，并且在与上述电子注入用电极层或空穴注入用电极层的界面上与这些电极层不具有外延关系；从而该量子点分散发光元件能够发光。

公开(公告)号：CN1698135A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000319.9

申请日：2004-04-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  柳田裕昭 ,  折田政宽

IPC: H01B1/06 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L31/0224 ,  C04B35/547 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00

Abstract: 作为在II～VI族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自VIII族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。

公开(公告)号：CN101523983B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200780038254.0

申请日：2007-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折田政宽 ,  成岛隆 ,  柳田裕昭

IPC: H05B33/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配，适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的p型半导体材料及半导体元件，对于p型半导体材料，其特征在于，在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018～5×1020cm-3的Ag，对于半导体元件，其特征在于，具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种p型半导体材料的p型电极层。

公开(公告)号：CN100390940C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200480000319.9

申请日：2004-04-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  柳田裕昭 ,  折田政宽

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01B1/06

CPC classification number: H01L31/0224 ,  C04B35/547 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00

Abstract: 作为在Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自Ⅷ族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。

公开(公告)号：CN1283576C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN02147548.2

申请日：2002-10-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 春日善子 ,  立和名一雄 ,  柳田裕昭

IPC: C03C4/00 ,  C03C3/062 ,  G02B1/00 ,  C03B11/00 ,  C03B25/00

CPC classification number: C03C3/062 ,  Y10S501/901

Abstract: 本发明的课题是一种光学玻璃，以重量%表示，含SiO2在18%以上、小于30%，含BaO在12%以上、小于23%，含TiO2为22～37%，含Nb2O5在7%以上、小于16%，含Na2O为5～20%，含K2O为0～6%，含CaO为0～5%，含SrO为0～5%，含ZrO2为0～4%，含Ta2O5为0～3%，含Sb2O5为0～1%，以及含P2O5在0%以上、小于0.5%，并且实质上不含PbO、As2O3和F。其折射率(nd)在1.80以上，阿贝数(vd)在30以下，析出的晶粒的数目密度在12个/mm3以下。采用对上述成形用玻璃原料加热、软化并且模压成形的玻璃模压成形品的制造方法，即使用通过再加热模压成形容易失透的玻璃，也可制造透明的高品质的模压成形品。