公开(公告)号：CN102150228A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135825.1

申请日：2009-07-23

Applicant: ATI技术无限责任公司

Inventor： N·麦克莱伦 ,  F·郭 ,  D·钟 ,  T·张

IPC: H01G13/00 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01G4/008 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/642 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露各种片上电容器以及其制造方法。在其中一个态样中，提供一种制造电容器的方法，包括形成第一导体结构在半导体芯片上并形成钝化结构在该第一导体结构上。形成凸块底部金属化结构在该钝化结构上。该凸块底部金属化结构与该第一导体结构的至少一部分重叠，从而提供该电容器。

公开(公告)号：CN102150228B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN200980135825.1

申请日：2009-07-23

Applicant: ATI技术无限责任公司

Inventor： N·麦克莱伦 ,  F·郭 ,  D·钟 ,  T·张

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01G4/008 ,  H01G4/01 ,  H01G4/33 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/642 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露各种片上电容器以及其制造方法。在其中一个态样中，提供一种制造电容器的方法，包括形成第一导体结构在半导体芯片上并形成钝化结构在该第一导体结构上。形成凸块底部金属化结构在该钝化结构上。该凸块底部金属化结构与该第一导体结构的至少一部分重叠，从而提供该电容器。

公开(公告)号：CN101952962A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880126089.9

申请日：2008-12-04

Applicant: ATI技术无限责任公司

Inventor： N·麦克莱伦 ,  Y·李 ,  R·托帕奇奥 ,  T·蒋

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L23/525 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供多种半导体芯片导体结构及制造该半导体芯片导体结构的方法。在本发明一个态样中，提供了一种制造方法，该制造方法包含在半导体芯片上形成导体结构。该导体结构具有第一部位与第二部位，该第一部位电性连接至第一重新分配层结构，而该第二部位电性连接至第二重新分配层结构。该导体结构上形成有焊接结构。