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公开(公告)号：CN102912314A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210337922.2
申请日：2008-10-31
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。
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公开(公告)号：CN101423929B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200810174324.1
申请日：2008-10-31
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。
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公开(公告)号：CN101495672A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-05-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC classification number: H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗－锑－碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN101215493A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710154706.3
申请日：2003-10-29
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: 本发明涉及采用超临界二氧化碳/化学制剂去除图案化硅/二氧化硅上的粒子污染物。该制剂含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种制剂克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该制剂能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
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公开(公告)号：CN1708364A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102120.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
Abstract: 一种用于从半导体基片上的微小区域去除微粒污染物的清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该清洗组合物能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1338007A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99814935.7
申请日：1999-12-20
Applicant: 高级技术材料公司
CPC classification number: H01L21/28556 , C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/26513 , Y10S427/101
Abstract: 本发明涉及一种铟前体组合物,用于将铟掺入微电子装置结构中,例如,通过鼓泡技术或液体输送MOCVD(金属有机气相淀积)技术,作为装置基片上的含铟薄膜,或者通过离子注入技术,作为掺杂剂掺入到装置基片中。这种前体组合物包括式R1R2InL前体,其中R1和R2可以相同或不同,并独立选自C6－C10芳基、C6－C10氟代芳基、C6－C10全氟芳基、C1－C6烷基、C1－C6氟代烷基或C1－C6全氟烷基;而L为β－二酮基或羧酸根。采用本发明的前体,可以在基片上形成含铟金属膜,如铟－铜金属化;可以在集成电路中形成浅结铟离子注入结构。
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公开(公告)号：CN103305804A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310190193.7
申请日：2007-08-31
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 约翰·M·克利里 , 乔斯·I·阿尔诺 , 布赖恩·C·亨德里克斯 , 多恩·纳伊托 , 斯科特·巴特勒 , 约翰·格雷格 , 迈克尔·J·伍德延斯基 , 许从应
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C14/48 , C23C16/08 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/4402 , C23C16/45525 , C23C16/45544
Abstract: 本发明涉及利用受控的固体形态学的流体的基于固体前体的传送。具体地，本发明揭一种用于挥发来源试剂的装置及方法，该来源试剂易于在对应的来源试剂蒸气中产生颗粒或存有颗粒，其中此颗粒产生或存在可藉由蒸气产生系统的结构或处理特性元件而压抑。此装置及方法可用于液体及固体来源试剂，特别是固体来源试剂，如金属卤化物，如氯化铪。在一特定实施例中，此来源试剂系以该来源试剂材料之一多孔性单块型整体形式构成。本发明之装置及方法用于提供来源试剂蒸气于如原子层沉积(ALD)及离子植入的应用中。
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公开(公告)号：CN101495672B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-03-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC classification number: H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN101542015A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780040766.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 约翰·M·克利里 , 乔斯·I·阿尔诺 , 布赖恩·C·亨德里克斯 , 多恩·纳伊托 , 斯科特·巴特勒 , 约翰·格雷格 , 迈克尔·J·伍德延斯基 , 许从应
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C14/48 , C23C16/08 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/4402 , C23C16/45525 , C23C16/45544
Abstract: 本发明揭一种用于挥发来源试剂的装置及方法，该来源试剂易于在对应的来源试剂蒸气中产生颗粒或存有颗粒，其中此颗粒产生或存在可藉由蒸气产生系统的结构或处理特性元件而压抑。此装置及方法可用于液体及固体来源试剂，特别是固体来源试剂，如金属卤化物，如氯化铪。在一特定实施例中，此来源试剂系以该来源试剂材料之一多孔性单块型整体形式构成。本发明之装置及方法用于提供来源试剂蒸气于如原子层沉积(ALD)及离子植入的应用中。
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公开(公告)号：CN101443891A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780016898.X
申请日：2007-03-12
Applicant: 高级技术材料公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/469
Abstract: 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积(ALD)以及化学气相沉积(CVD)的钡、锶、钽以及镧前体组合物。这些前体具有化学式M(Cp)2，其中，M为锶、钡、钽、或镧，并且Cp为具有化学式(I)的环戊二烯基，其中R1－R5各自彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1－C12烷基、C1－C12氨基、C6－C10芳基、C1－C12烷氧基、C3－C6烷基甲硅烷基、C2－C12烯基、R1R2R3NNR3，其中，R1、R2和R3可以彼此相同或不同，各自独立地选自氢和C1－C6烷基、以及包含向金属中心M提供进一步配位的官能团的侧基配体。具有以上化学式的前体在闪速存储器及其他电子器件的制造中用于获得具有高介电常数的物质的均匀的涂层。
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