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公开(公告)号：CN101495672B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-03-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC classification number: H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN102352488A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110300900.4
申请日：2007-03-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
IPC: C23C16/18 , H01L45/00 , C07C395/00 , C07F9/90 , C07F19/00
CPC classification number: H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN101495672A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-05-12
Applicant: 高级技术材料公司
Inventor： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC classification number: H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗－锑－碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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