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公开(公告)号:CN101815766A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200880110251.8
申请日:2008-10-03
IPC: C09D183/04 , H01L31/0216 , C09D183/05 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/316 , C09D183/04 , C23C18/1208 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1279 , C23C2222/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y02E10/541
Abstract: 通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物,并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体(氧气小于20体积%)内加热到高温,将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层,形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基材的方法。含有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物或其溶液的涂层形成试剂。一种半导体器件,它包括在无机基底上的氧化硅类涂层上形成的至少一层半导体层。
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公开(公告)号:CN102414254A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080019734.4
申请日:2010-04-06
Applicant: 陶氏康宁公司
CPC classification number: C08G77/20 , B32B17/10 , B32B27/28 , B32B2383/00 , C08G77/12 , Y10T428/24802
Abstract: 提供了一种乙烯基氢聚硅氧烷。所述乙烯基氢聚硅氧烷包含具有至少两个与硅键合的氢原子和至少两个与硅键合的乙烯基的有机基聚硅氧烷。作为乙烯基氢聚硅氧烷中硅原子总数的分数,约25%-约90%的硅原子键合至氢原子,约10%-约45%键合至乙烯基。与硅键合的氢基的数量和与硅键合的乙烯基的数量的比为约1.3-约6。还提供了一种硅氧烷组合物,其包含至少一种乙烯基氢聚硅氧烷和氢化硅烷化催化剂;一种硅氧烷粘合剂,其包含至少一种乙烯基氢聚硅氧烷的固化产物;和一种层压体,其包括至少一种所述硅氧烷粘合剂。当经受高温或直接燃烧时,所述乙烯基氢聚硅氧烷形成保持对各种基底的粘合性的炭。
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公开(公告)号:CN102105305B
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN200980126500.7
申请日:2009-06-26
CPC classification number: C08J7/045 , C08J2383/04 , C08L83/04 , Y10T428/31515 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 具有气体阻挡性能的固化的有机基聚硅氧烷树脂膜,其中在可见光区域透明的膜上形成含有有机官能团,通过可聚合有机官能团之间的聚合产生的有机基团,或氢甲硅烷基或硅烷醇基的固化的有机基聚硅氧烷层,其中所述可见光区域透明的膜包括通过氢化硅烷化反应介导的交联得到的固化的有机基聚硅氧烷树脂,和其中在前述固化的有机基聚硅氧烷层上形成氮氧化硅层,氮化硅层或氧化硅层。此外,生产具有气体阻挡性能的这一固化的有机基聚硅氧烷树脂膜的方法。
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公开(公告)号:CN102105305A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200980126500.7
申请日:2009-06-26
CPC classification number: C08J7/045 , C08J2383/04 , C08L83/04 , Y10T428/31515 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 具有气体阻挡性能的固化的有机基聚硅氧烷树脂膜,其中在可见光区域透明的膜上形成含有有机官能团,通过可聚合有机官能团之间的聚合产生的有机基团,或氢甲硅烷基或硅烷醇基的固化的有机基聚硅氧烷层,其中所述可见光区域透明的膜包括通过氢化硅烷化反应介导的交联得到的固化的有机基聚硅氧烷树脂,和其中在前述固化的有机基聚硅氧烷层上形成氮氧化硅层,氮化硅层或氧化硅层。此外,生产具有气体阻挡性能的这一固化的有机基聚硅氧烷树脂膜的方法。
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