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公开(公告)号：CN101600755B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880003897.6
申请日：2008-02-01
IPC: C08G77/58 , H01L21/312 , C09D183/14
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K3/22 , C08K3/36 , C09D183/04 , C09D183/14 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/127 , C23C18/14 , H01L21/02126 , H01L21/02145 , H01L21/02153 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L31/02161 , Y10T428/31663
Abstract: 通过使氢卤代硅氧烷或氢烷氧基硅烷在其中分散有具有羟基的多价金属氧化物细颗粒的有机溶剂中进行缩合或水解和缩合而得到的可固化液体组合物；通过在无机基材上施涂上述组合物和接着固化该组合物而形成硬二氧化硅类层的方法；具有上述硬二氧化硅类层的无机基材；和包括在其上形成有半导体层的上述无机基材的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102272231B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980153043.0
申请日：2009-11-18
CPC classification number: C09C1/00 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/08 , C08L83/04 , C09C1/3081 , C09C1/3684 , C09C1/407 , C09C3/12 , Y10T428/2852 , Y10T428/31612 , C08L2666/54
Abstract: 一种硅氧烷组合物，其包含(a)可固化的硅氧烷树脂、(b)具有在其上形成的聚合物表面涂层的无机颗粒和(c)交联性化合物。(a)可固化的硅氧烷树脂包含具有选自芳基、烷基、链烯基和氢的官能团R1的单元。有机基聚硅氧烷包含选自R23SiO1/2、R22SiO2/2、R2SiO3/2、及其组合的单元。R2选自芳基、烷基、链烯基、氢、及其组合，且R1等于R2。(c)交联性化合物可与(a)和聚合物表面涂层中的至少之一反应。
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公开(公告)号：CN101600755A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880003897.6
申请日：2008-02-01
IPC: C08G77/58 , H01L21/312 , C09D183/14
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K3/22 , C08K3/36 , C09D183/04 , C09D183/14 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/127 , C23C18/14 , H01L21/02126 , H01L21/02145 , H01L21/02153 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L31/02161 , Y10T428/31663
Abstract: 通过使氢卤代硅氧烷或氢烷氧基硅烷在其中分散有具有羟基的多价金属氧化物细颗粒的有机溶剂中进行缩合或水解和缩合而得到的可固化液体组合物；通过在无机基材上施涂上述组合物和接着固化该组合物而形成硬二氧化硅类层的方法；具有上述硬二氧化硅类层的无机基材；和包括在其上形成有半导体层的上述无机基材的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101815766A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110251.8
申请日：2008-10-03
IPC: C09D183/04 , H01L31/0216 , C09D183/05 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/316 , C09D183/04 , C23C18/1208 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1279 , C23C2222/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y02E10/541
Abstract: 通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物，并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体(氧气小于20体积％)内加热到高温，将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层，形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基材的方法。含有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物或其溶液的涂层形成试剂。一种半导体器件，它包括在无机基底上的氧化硅类涂层上形成的至少一层半导体层。
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公开(公告)号：CN102272231A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153043.0
申请日：2009-11-18
CPC classification number: C09C1/00 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/08 , C08L83/04 , C09C1/3081 , C09C1/3684 , C09C1/407 , C09C3/12 , Y10T428/2852 , Y10T428/31612 , C08L2666/54
Abstract: 一种硅氧烷组合物，其包含(a)可固化的硅氧烷树脂、(b)具有在其上形成的聚合物表面涂层的无机颗粒和(c)交联性化合物。(a)可固化的硅氧烷树脂包含具有选自芳基、烷基、链烯基和氢的官能团R1的单元。有机基聚硅氧烷包含选自R23SiO1/2、R22SiO2/2、R2SiO3/2、及其组合的单元。R2选自芳基、烷基、链烯基、氢、及其组合，且R1等于R2。(c)交联性化合物可与(a)和聚合物表面涂层中的至少之一反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102015844B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980115029.1
申请日：2009-04-06
Applicant: 道康宁东丽株式会社
Inventor： 张原志成
CPC classification number: C04B35/571 , B82Y30/00 , C04B35/5603 , C04B35/589 , C04B35/6268 , C04B2235/3826 , C04B2235/3895 , C04B2235/46 , C04B2235/528 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/9661 , C08J3/07 , C08J3/14 , C08J2383/04 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及制造含硅颗粒的方法，其特征在于：制备包含能固化的成分和不参与所述成分固化的油的均匀相，所述能固化的成分包括在一个分子中每50个硅原子具有一个或多个反应性官能团的含硅化合物，然后使所述成分固化，和引起与所述油的相分离以获得含硅颗粒；和本发明还涉及通过以上方法获得的含硅颗粒。所述方法以无需使用表面活性剂的简单过程提供极小直径的含硅颗粒。而且所述含硅颗粒具有优异的在油中的可分散性和高的通过烘烤的陶瓷化程度。
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公开(公告)号：CN101932631B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980103646.X
申请日：2009-01-23
Applicant: 道康宁东丽株式会社
Inventor： 张原志成
CPC classification number: C08G77/06 , B82Y30/00 , C01B33/04 , C01B33/18 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/14 , C04B35/16 , C04B2235/483 , C08G59/306 , C08G77/38 , C08G77/50 , C08L83/10 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供在不使用表面活性剂等的情况下，用简单的工艺制造粒径极小的含硅粒子的方法。该方法的特征在于，在至少由通过加成反应、缩合反应、开环反应或自由基反应等固化的固化性的含硅化合物或包含其的固化性组合物、和不参与该硅化合物或其组合物的固化反应的不含硅的有机聚合物组成的液体或熔融状或溶液状的均一相中，使上述含硅化合物或其组合物进行固化反应，从而从上述有机聚合物进行相分离而形成含硅粒子。
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公开(公告)号：CN102473907A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033808.X
申请日：2010-07-29
Applicant: 道康宁东丽株式会社
CPC classification number: H01M4/587 , H01G11/02 , H01G11/24 , H01G11/32 , H01G11/38 , H01G11/44 , H01G11/86 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/052 , Y02E60/13
Abstract: 公开了一种电极活性材料，其主要由通过以下获得的含硅的碳基复合材料组成：在惰性气体中或在真空中在300℃至1,500℃下，焙烧(A)具有可交联基团但不具有硅原子的有机化合物和(B)能够交联组分(A)的含硅化合物的固化产物。还公开了一种含有该电极活性材料的电极和包含该电极的蓄电装置。电极活性材料具有高的可逆电容和稳定的充电/放电循环特性，同时当释放锂时具有低的电势损失。另外，电极活性材料可通过简单的制备工艺来制备，且尤其适合于锂二次电池的电极。蓄电装置包含使用电极活性材料获得的电极。
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公开(公告)号：CN101821339A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111035.5
申请日：2008-10-09
Applicant: 道康宁东丽株式会社
Inventor： 张原志成
IPC: C08L83/04 , C08K5/00 , C09D183/04 , C08J7/04
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L75/04 , C09D183/04
Abstract: 一种金属颗粒分散结构体，其特征在于包括分散在(A)100重量份经聚合的聚合物中的(B)0.005-100重量份金属纳米颗粒，其中该金属纳米颗粒是通过将(b1)有机基氢聚硅氧烷和(b2)至少一种可溶于组分(b3)中的金属化合物在(b3)环状或链状二甲基聚硅氧烷或至少一种有机溶剂中混合至均匀而获得的金属颗粒。
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公开(公告)号：CN102015844A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115029.1
申请日：2009-04-06
Applicant: 道康宁东丽株式会社
Inventor： 张原志成
CPC classification number: C04B35/571 , B82Y30/00 , C04B35/5603 , C04B35/589 , C04B35/6268 , C04B2235/3826 , C04B2235/3895 , C04B2235/46 , C04B2235/528 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/9661 , C08J3/07 , C08J3/14 , C08J2383/04 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及制造含硅颗粒的方法，其特征在于：制备包含能固化的成分和不参与所述成分固化的油的均匀相，所述能固化的成分包括在一个分子中每50个硅原子具有一个或多个反应性官能团的含硅化合物，然后使所述成分固化，和引起与所述油的相分离以获得含硅颗粒；和本发明还涉及通过以上方法获得的含硅颗粒。所述方法以无需使用表面活性剂的简单过程提供极小直径的含硅颗粒。而且所述含硅颗粒具有优异的在油中的可分散性和高的通过烘烤的陶瓷化程度。
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