-
公开(公告)号：CN101600755B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880003897.6
申请日：2008-02-01
IPC: C08G77/58 , H01L21/312 , C09D183/14
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K3/22 , C08K3/36 , C09D183/04 , C09D183/14 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/127 , C23C18/14 , H01L21/02126 , H01L21/02145 , H01L21/02153 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L31/02161 , Y10T428/31663
Abstract: 通过使氢卤代硅氧烷或氢烷氧基硅烷在其中分散有具有羟基的多价金属氧化物细颗粒的有机溶剂中进行缩合或水解和缩合而得到的可固化液体组合物；通过在无机基材上施涂上述组合物和接着固化该组合物而形成硬二氧化硅类层的方法；具有上述硬二氧化硅类层的无机基材；和包括在其上形成有半导体层的上述无机基材的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN101815766A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110251.8
申请日：2008-10-03
IPC: C09D183/04 , H01L31/0216 , C09D183/05 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/316 , C09D183/04 , C23C18/1208 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1279 , C23C2222/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y02E10/541
Abstract: 通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物，并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体(氧气小于20体积％)内加热到高温，将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层，形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基材的方法。含有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物或其溶液的涂层形成试剂。一种半导体器件，它包括在无机基底上的氧化硅类涂层上形成的至少一层半导体层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101600755A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880003897.6
申请日：2008-02-01
IPC: C08G77/58 , H01L21/312 , C09D183/14
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K3/22 , C08K3/36 , C09D183/04 , C09D183/14 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/127 , C23C18/14 , H01L21/02126 , H01L21/02145 , H01L21/02153 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L31/02161 , Y10T428/31663
Abstract: 通过使氢卤代硅氧烷或氢烷氧基硅烷在其中分散有具有羟基的多价金属氧化物细颗粒的有机溶剂中进行缩合或水解和缩合而得到的可固化液体组合物；通过在无机基材上施涂上述组合物和接着固化该组合物而形成硬二氧化硅类层的方法；具有上述硬二氧化硅类层的无机基材；和包括在其上形成有半导体层的上述无机基材的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN102105305B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200980126500.7
申请日：2009-06-26
CPC classification number: C08J7/045 , C08J2383/04 , C08L83/04 , Y10T428/31515 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 具有气体阻挡性能的固化的有机基聚硅氧烷树脂膜，其中在可见光区域透明的膜上形成含有有机官能团，通过可聚合有机官能团之间的聚合产生的有机基团，或氢甲硅烷基或硅烷醇基的固化的有机基聚硅氧烷层，其中所述可见光区域透明的膜包括通过氢化硅烷化反应介导的交联得到的固化的有机基聚硅氧烷树脂，和其中在前述固化的有机基聚硅氧烷层上形成氮氧化硅层，氮化硅层或氧化硅层。此外，生产具有气体阻挡性能的这一固化的有机基聚硅氧烷树脂膜的方法。
-
公开(公告)号：CN102105305A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980126500.7
申请日：2009-06-26
CPC classification number: C08J7/045 , C08J2383/04 , C08L83/04 , Y10T428/31515 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 具有气体阻挡性能的固化的有机基聚硅氧烷树脂膜，其中在可见光区域透明的膜上形成含有有机官能团，通过可聚合有机官能团之间的聚合产生的有机基团，或氢甲硅烷基或硅烷醇基的固化的有机基聚硅氧烷层，其中所述可见光区域透明的膜包括通过氢化硅烷化反应介导的交联得到的固化的有机基聚硅氧烷树脂，和其中在前述固化的有机基聚硅氧烷层上形成氮氧化硅层，氮化硅层或氧化硅层。此外，生产具有气体阻挡性能的这一固化的有机基聚硅氧烷树脂膜的方法。
-
公开(公告)号：CN101238165A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028817.3
申请日：2006-08-04
Applicant: 陶氏康宁东丽株式会社 , 陶氏康宁公司
CPC classification number: C08G77/12 , C03B19/12 , C03C3/06 , C03C17/02 , C03C2203/20 , C03C2217/213 , C03C2218/11
Abstract: 特定硅氧烷单元式的环状二氢聚硅氧烷、氢聚硅氧烷等，使用水解/缩合生产它们的方法，通过在模具内固化所述环状二氢硅氧烷或所述氢聚硅氧烷，生产在真空－UV区域到UV区域内透光率为90－100％和在可见光区域到近红外区域内透光率为98－100％的二氧化硅类玻璃模制品的方法，所述二氧化硅类玻璃模制品，由该二氧化硅类玻璃制成的光学元件，通过用氢聚硅氧烷涂布光学元件并固化它们，生产具有这种二氧化硅类玻璃膜层的光学元件的方法，和具有这种二氧化硅类玻璃膜层的光学元件。
-
公开(公告)号：CN101292060A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680039115.5
申请日：2006-10-23
Applicant: 陶氏康宁东丽株式会社 , 陶氏康宁公司
CPC classification number: H01L21/3124 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/14 , C23C2222/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02351 , H01L21/31608
Abstract: 制备用铅笔硬度为2H－9H的二氧化硅类玻璃薄层涂布的无机基底的方法，所述方法包括下述步骤：使用特定单元式表示的环状二氢聚硅氧烷和/或氢聚硅氧烷涂布无机基底和固化；用二氧化硅类玻璃薄层涂布的无机基底；用于无机基底的涂布剂，所述涂布剂由用特定单元式表示的环状二氢聚硅氧烷和/或氢聚硅氧烷组成；和具有用二氧化硅类玻璃薄层涂布的无机基底的半导体器件。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.034 seconds)
