-
公开(公告)号：CN114784087B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210315138.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、集电极沟槽重掺杂第二导电类型栅极区(12)、第一导电类型浮空缓冲层(21)、轻掺杂第一导电类型漂移层(22)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、集电极沟槽绝缘介质层(35)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明器件结构击穿电压得到提高、实现工艺得到简化、关断损耗进一步降低。
-
公开(公告)号：CN114709253B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210330190.8
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、阳极辅助栅介质层(13)、阳极辅助栅接触区(14)和阳极肖特基接触区(15)；本发明可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；实现器件的逆向导通能力。
-
公开(公告)号：CN114744035A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210315166.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法，整流器包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)；制造方法步骤包括依次形成下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)的步骤。本发明能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系，从而使该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
-
公开(公告)号：CN114709253A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210330190.8
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、阳极辅助栅介质层(13)、阳极辅助栅接触区(14)和阳极肖特基接触区(15)；本发明可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；实现器件的逆向导通能力。
-
公开(公告)号：CN114759078B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202210315111.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回(snap‑back)现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759078A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210315111.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回(snap‑back)现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。
-
公开(公告)号：CN114709259A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210313758.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
-
公开(公告)号：CN114709259B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210313758.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
-
公开(公告)号：CN114744035B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202210315166.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法，整流器包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)；制造方法步骤包括依次形成下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)的步骤。本发明能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系，从而使该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
-
公开(公告)号：CN114784087A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210315138.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、集电极沟槽重掺杂第二导电类型栅极区(12)、第一导电类型浮空缓冲层(21)、轻掺杂第一导电类型漂移层(22)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、集电极沟槽绝缘介质层(35)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明器件结构击穿电压得到提高、实现工艺得到简化、关断损耗进一步降低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.022 seconds)
